【摘 要】
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用分子束外延（MBE）技术生长了Ge/Si超薄型超晶格和Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>/Si合金型超晶格。用RHEED强度振荡技术生长出了非常陡峭和平整的Si/Ge异质结界面。在Si（001）上
【机 构】
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复旦大学表面物理实验室,复旦大学表面物理实验室
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用分子束外延（MBE）技术生长了Ge/Si超薄型超晶格和Ge<sub>x</sub>Si<sub>1-x</sub>/Si合金型超晶格。用RHEED强度振荡技术生长出了非常陡峭和平整的Si/Ge异质结界面。在Si（001）上生长的一个单原子层Ge和一个单原子层Si的多层结构是可以得到的最薄的超晶格。合金型超晶格的厚度可满足器件制造的要求并避免了失配位错的产生。用XTEM、RBS及X射线衍射对外延晶体质量作了签定,用Raman谱和电调制反射谱对超晶格的光学特性
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