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对一种超低功耗能隙源的电源噪声抑制进行了分析．给出了简单而又有效的频域分析模型，并将其电源噪声抑制实测结果与频域分析模型理论结果及其SPICE仿真结果进行比较，在Charted 0．35μm CMOS工艺流片实现了这一结构的能隙源，实测最低工作电压为1．3V，工作电流为7．8μA，基准电压为500mV，温度系数为40ppm／C，芯片面积为0．06mm^2．最后提出了本结构能隙源提高电源噪声抑制的方法．