热处理后砷硅玻璃结构的变化

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kuaileyt
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究了用作硅中扩散源的含砷的二氧化硅玻璃。这种玻璃是在由四乙氧基硅烷蒸气、三氯化砷蒸气和氧气组成的混合气氛中于500~700℃的温度下淀积在加热的硅衬底上的。采用红外分光光谱学和电子衍射分析等方法研究了这种玻璃的结构及其在氧气气氛、氢气气氛、氮气气氛和真空中进行热处理后结构的变化。同时也测量了玻璃的密度、三氧化二砷克分子含量的百分比和折射率。经过氢气中热处理后,玻璃中的三氧化二砷很容易还原为砷,而随后在氧气中进行热处理时砷又再氧化为三氧化二砷。如果在氧气中进行长时间的热处理,玻璃表面会结晶化。在氧气中进行热处理后引起的破坏可以由这种玻璃的软化点低和热膨胀系数大来解释。 Arsenic-containing silica glass was investigated as a diffusion source in silicon. This glass is deposited on a heated silicon substrate at a temperature of 500 to 700 ° C in a mixed atmosphere of tetraethoxysilane vapor, arsenic trichloride vapor and oxygen gas. The structure of the glass and its structure change after heat treatment in oxygen, hydrogen, nitrogen and vacuum were investigated by means of infrared spectroscopy and electron diffraction analysis. The glass density, the percentage of arsenic trioxide and the refractive index were also measured. After the heat treatment in hydrogen, the arsenic trioxide in the glass is easily reduced to arsenic, and then the arsenic is oxidized to arsenic trioxide again by heat treatment in oxygen. If prolonged in oxygen heat treatment, the glass surface will crystallize. The damage caused after the heat treatment in oxygen can be explained by the low softening point and the large thermal expansion coefficient of this glass.
其他文献
一、序言砷化镓中的 n 型杂质,已知的有 T_e、S、Si、Sn 等。在制作器件的时候,n 或 n~+层几乎都是采用外延生长法形成的。这是因为外延生长比扩散法温度低,并且可以制得优
在β谱学的研究中,经常需要薄而均匀的放射源。为此目的,我们设计了一套真空蒸发制源装置,并用它制出了In~(110),Au~(198)和Sm~(153)的放射源。为了说明问题,我们分别用液滴
概述电子工业的飞速发展,相应对半导体材料参数的精密测量提出了迫切的要求。我厂广大革命职工在伟大领袖毛主席“独立自主、自力更生”精神指引下,奋战了六个月成功地试制
电子管和接收机是相控阵雷达市场上的最大而且最强烈的竞争部分。系统设计方面积累的经验使我们能很好地分析各种电子管和接收机型的相控阵的结构和成分。在确定取舍基本规则
本文估价末来宇宙飞船载的激光雷达系统的采用和实验样机的研制,讨论一些专门应用,介绍窄雷达光束的目标搜索和跟踪的扫描技术,提出了雷达作用距离的分析,确定了合作目标和非
本文通过西宁市“三区一县”不同种植条件下菜地土壤采样分析 ,对其养分及丰缺状况进行分析比较 ,同时提出了西宁市菜地合理施肥建议 In this paper, we analyzed and compa
利用冬麦区冬小麦生长期间农业气象要素、气象卫星植被指数 ,地面观测站网的农情资料 ,对 1998/ 1999年度冬麦区农业气象条件及其对小麦生长发育和产量的影响进行了综合分析
据报道,美帝国际商业机器公司在制造金掺杂双极晶体管时,由于采用了砷代替过去使用的磷作为扩散杂质,使该器件的截止频率和成品率都有所提高。过去,使用磷作为扩散杂质是为
文献曾报导过高能带电粒子和中子对探测器性能的影响。并把性能的变化主要归结为体性质(如寿命,电阻率)的改变。本文则研究了对体性质影响较弱的r辐照对金-硅面垒探测器性能
在B3LYP/6-31G*水平上对135个多氯代吩噁嗪(PCPXs)系列化合物进行了全优化和振动分析计算,得到各分子在298.15K,1.013×105Pa标准状态下的热力学性质.设计等键反应,计算了PCP