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利用椭圆偏振仪（EL），傅里叶红外光谱（FTIR）研究了Si1-x-yGexCy合金分别在900℃和1000℃干氧气氛下形成氧化物的生长动力学，结果表明：在900℃氧化时，随着合金中的替代碳含量的增加，氧化速率逐渐下降；而在1000℃下氧化超过10min，Si-x-yGexCy合金的氧化基本上与碳的含量无关，与Si1-xGex的行为一致，这主要是由于在1000℃比较长时间的氧化过程中，替代位的碳逐渐析出形成β-SiC沉淀，失去了对氧化过程的影响作用，研究表明对于Si-x-yGexCy薄膜和器件的应用来说，