【摘 要】
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用红外电视选行扫描仪观察由不同P型掺杂剂的外延片制成的InGaAsP/InP双异质结发光管的暗缺陷,并研究了它的来源。比较了P型掺杂剂的种类和掺杂浓度对暗结构的影响。结果表明
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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用红外电视选行扫描仪观察由不同P型掺杂剂的外延片制成的InGaAsP/InP双异质结发光管的暗缺陷,并研究了它的来源。比较了P型掺杂剂的种类和掺杂浓度对暗结构的影响。结果表明,掺Mg和掺In-Zn合金与重掺Zn器件相比,暗结构比例明显降低。Zn可能是暗缺陷的重要来源之一。器件在70℃,85℃条件下老化2000小时后,老化前无暗缺陷的某些器件亦有暗结构产生,但其生长率很慢。
The dark defects of InGaAsP / InP double heterostructure LED made of epitaxial wafers with different P-type dopants were observed with an infrared television scanner and the origin of the defects was investigated. The influence of the type of P-type dopant and doping concentration on the dark structure was compared. The results show that the proportion of dark structure is significantly lower than that of heavily doped Zn-doped and In-Zn-doped alloys. Zn may be one of the important sources of dark defects. Some devices with no dark defects before aging also have dark structures after aging for 2000 hours at 70 ℃ and 85 ℃, but the growth rate is very slow.
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