【摘 要】
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采用溶胶-凝胶和旋涂抽滤方法，在硅微通道（Si—MCP）衬底的内壁上涂敷前驱物，然后分别在600℃，650℃，700℃和750℃条件下制备Bi3.15Nd0.85Ti4O12／Si—MCP微纳薄膜阵列，并对其结构及铁
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,齐齐哈尔大学通信与电子工程学院,华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金（61204127）,中国博士后科学基金面上项目（2012M510898）,黑龙江普通高等学校新世纪优秀人才培养计划（1253-NECT025）,黑龙江省自然科学基金（F201332）
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采用溶胶-凝胶和旋涂抽滤方法，在硅微通道（Si—MCP）衬底的内壁上涂敷前驱物，然后分别在600℃，650℃，700℃和750℃条件下制备Bi3.15Nd0.85Ti4O12／Si—MCP微纳薄膜阵列，并对其结构及铁电特性进行表征．研究结果显示，退火温度越高，Si—MCP内被局域化的微纳薄膜结晶颗粒尺寸越大，同时BNT／Si—MCP微纳薄膜阵列越趋向沿c轴取向，尤其在750℃下制备的薄膜具有表面形貌均匀和c轴取向程度高等优点，且剩余极化强度可达93．8μC／cm2．
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