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MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析
MBE生长氮化镓薄膜的X光电子谱和俄歇电子谱分析
来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zyllovezk1314
【摘 要】
:
用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延(MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为表面污染
【出 处】
:
发光学报
【发表日期】
:
2001年z1期
【关键词】
:
GAN
X光电子谱
俄歇电子谱
分子束外延
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用X光电子谱和俄歇电子能谱的方法对射频等离子体辅助分子束外延(MBE)技术生长的氮化镓(GaN)薄膜进行了表面分析和深度剖析.发现薄膜实际表面存在O和C吸附层,C主要为表面污染,而O形成一定的深度分布,从而影响氮化镓薄膜的电学和光学性质.
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