ZnAl2O4／α—Al2O3衬底上GaN的生长

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mokama1

【摘要】

：

研究了直接在ZnAl2O4/α－Al2O3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜，利用脉冲激光淀积法在α－Al2O3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜，对ZnO/α－Al2O3样品在1100℃退火得到了具有ZnAl2O4覆盖

【作者】

：

毕朝霞张荣等

【机构】

：

南京大学物理系固体微结构国家重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2001年8期

【关键词】

：

X射线衍射衬底 MOCVD 晶体生长氮化镓半导体材料 GaN ZnAl2O4 MOCVD XRD SEM

【基金项目】

：

国家重点基础研究规划 ( G2 0 0 0 0 6 83),,国家杰出青年研究基金 ( 6 0 0 2 5 4 1 1 ),,国家自然科学基金 ( 6 9976 0 1 4 ,6 96 36

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研究了直接在ZnAl2O4/α－Al2O3衬底上用MOCVD法一步生长GaN薄膜，利用脉冲激光淀积法在α－Al2O3衬底上淀积了高质量ZnO薄膜，对ZnO/α－Al2O3样品在1100℃退火得到了具有ZnAl2O4覆盖层的α－Al2O3衬底，并在此复合衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了纤锌矿结构GaN.X射线衍射谱表明反应得到的ZnAl2O4层为（111）取向，扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于30min增加到20h，ZnAl2O4表面均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构，相应的GaN X射线

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