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用射频磁控反应溅射的方法，以金属Ａｌ和ＴｂＦ３为靶材，在总压为１Ｐａ，Ｎ２／Ａｒ比为２０／８０的气氛下，制备了ＡｌＮ：ＴｂＦ３薄膜。研究了不同制备条件对薄膜光致光相对亮度的影响。进一步实验表明，电致发光的相对亮度具有与光致发光相近的对浓度的依赖关系。在衬底温度为６００℃，ＴｂＦ３含量约为４．０ｍｏｌ％的条件下制备的ＡｌＮ：ＴｂＦ３ＡＣＴＦＥＬ器件，在交流驱动条件下，得到了Ｔｂ＾３＋离子的特征发光。