本文分析了研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路Ｃｐ＾６０γ辐照响应结果。...

对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ材料，注入不同剂的Ｆ并退火，其电容经＾６０Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层控......

为了抑制埋层注氮导致的埋层内正电荷密度的上升,本文采用氮氟复合注入方式,向先行注氮的埋层进行了注氮之后的氟离子注入,并经适......