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期刊论文
量子阱结构中的等效宽度分析
量子阱结构中的等效宽度分析
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chcespring
【摘 要】
:
在有效质量近似下,分析了有限深势阱的电子基态能级,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系,首次得出经验公式,发现结果与前人的
【作 者】
:
周小平
周剑英
等
【机 构】
:
浙江大学信息与电子工程学系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2002年7期
【关键词】
:
量子阱
等效宽度
结合能
GAAS/GAALAS
光学性质
quantum well
effective width
binding energy
GaAs/G
【基金项目】
:
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 98770 17)~~
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在有效质量近似下,分析了有限深势阱的电子基态能级,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系,首次得出经验公式,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好,分析了两种模型下的波函数和结合能,证实了有外加电场时采用零电场下的等效宽度的合理性。
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