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异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高,并且仍然具有两指发射极HBT良好的击穿、直流和高频特性.
三指发射极InGaP/GaAS HBT的研制
【摘 要】
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异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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中国科学院知识创新工程项目;
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