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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在一定射频功率、衬底温度和气压下,在普通玻璃衬底上制备了不同硅烷体积分数的Si薄膜材料。使用喇曼光谱对薄膜材料的结构进行了研究。结果表明,随着硅烷体积分数的降低,Si薄膜沉积速率将会逐渐降低。当硅烷体积分数降到2%时,喇曼光谱检测到出现对应的晶体Si的吸收峰,而最初的非晶吸收峰位逐渐减弱,Si薄膜的结构实现了由非晶向微晶转变。随着硅烷体积分数进一步降低,结晶率不断提高,微晶比例进一步扩大。