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本文提出了一种能有效提高了RF功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构-深阱RF功率双极晶体管,并且采用MEDICI分析软件研究了影响器件特性的一些因素,深阱阱壁的宽度与深度,阱壁填充介质,界面电荷以及场板,采用这种技术的功率晶体管(VHF,线性输出功率15W)的结构参数为Nc=7.0×10^15cm^-3N型外延层,集电结结深XJC=0.3μm,未掺杂多晶硅填充深槽,典型的器件雪崩击穿电压主