【摘 要】
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最近日本富士通公司开发了一种LNA用的新材料系统P-HEMT,它与常规P-HEMT不同,其电子供给层是n-InGaP,而不是n-AlGaAs。因为InGaP的肖特基势垒低(0.7eV,AlGaAs为1.1eV),故可
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最近日本富士通公司开发了一种LNA用的新材料系统P-HEMT,它与常规P-HEMT不同,其电子供给层是n-InGaP,而不是n-AlGaAs。因为InGaP的肖特基势垒低(0.7eV,AlGaAs为1.1eV),故可以减少其厚度,提高L_g/t比,有利减少短沟
Recently Fujitsu Ltd. of Japan developed a new material system P-HEMT for LNA which, unlike the conventional P-HEMT, has an electron supply layer of n-InGaP instead of n-AlGaAs. Because InGaP Schottky barrier is low (0.7eV, AlGaAs is 1.1eV), it can reduce its thickness, improve L_g / t ratio, and help reduce the short groove
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