【摘 要】
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在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg_(1-x)Cd_xTe n~+-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所 上海,200083,
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在流体静压力(0—2GPa)下,对Hg_(1-x)Cd_xTe n~+-p光电二极管(x=0.5)室温电学特性进行了实验和理论研究。通过考虑深能级压力效应及其对深能级辅助隧道电流的影响,较好地解释了实验上观察到的p-n结伏安特性在小偏压范围下呈现的“反常”压力关系。由对实验数据的理论拟合得到两个深能级:D_l(=E_v+0.75E_g)和D_l(=E_v+0.5E_g),以及相应的电子寿命和空穴寿命,并得到了未掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe中深能级的压力系数。
Under hydrostatic pressure (0-2GPa), the experimental and theoretical studies on the electrical properties of Hg_ (1-x) Cd_xTe n ~ + -p photodiodes (x = 0.5) The “abnormal” pressure dependence of the experimentally observed p-n junction voltammetry at small bias ranges is well explained by considering the deep level pressure effect and its effect on the deep-level auxiliary tunneling current. Two deep energy levels are obtained from the experimental data fitting: D_l (= E_v + 0.75E_g) and D_l (= E_v + 0.5E_g), and the corresponding electron lifetime and hole lifetime, and the undoped Hg_ (1-x) CdxTe in the deep level of the pressure coefficient.
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