1.8V高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

来源 :北京工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wanghao7511
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通过对电压源传统设计中关于速度、噪声、工作温度范围方面的研究,设计了一种带隙基准电压源.基于TSMC工艺套件的电路模拟仿真表明,该电路可在1.5~1.8V电压下正常工作,功耗小于0.5mW,输出电压为1.25V,温度系数低于1.8×10^-1/℃,且低频下PSRR的值可以达到-110dB.
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