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GaAs1—xPx:EL2(x=0—0/08)光猝灭截面谱的温度依赖性
GaAs1—xPx:EL2(x=0—0/08)光猝灭截面谱的温度依赖性
来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Colo
【摘 要】
:
对实测GaAs1-xPx合金(x=0,0.04和0.08)三个样品中EL2中心的光猝灭截面谱σ的温度依赖性进行了研究。
【作 者】
:
杨锡震
【机 构】
:
北京师范大学分析测试中心
【出 处】
:
发光学报
【发表日期】
:
1999年1期
【关键词】
:
激发态
光猝灭
温度依赖性
砷化镓合金
GaAs1-xPx
EL2
excited state
optical quenching
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对实测GaAs1-xPx合金(x=0,0.04和0.08)三个样品中EL2中心的光猝灭截面谱σ的温度依赖性进行了研究。
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