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对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ的温度依赖性进行了研究。
GaAs1—xPx：EL2（x=0—0／08）光猝灭截面谱的温度依赖性
【摘 要】
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对实测ＧａＡｓ１－ｘＰｘ合金（ｘ＝０，０．０４和０．０８）三个样品中ＥＬ２中心的光猝灭截面谱σ的温度依赖性进行了研究。
【机 构】
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北京师范大学分析测试中心
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1999年1期
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