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本文报道一种低阻高化学稳定的Ａｌ：Ｔｉ合金的制备方法及其在ａ－Ｓｉ ＴＦＴ中的应用。所获Ａｌ：Ｔｉ合金电极材料和电阻率可达９。６μΩ·ｃｍ，与纯铝的相近。Ｔｉ的加入使Ａｌ：Ｔｉ合金惰性增强，有效地抑制小丘（Ｈｉｌｌｏｃｋ）的生产和阳极氧化时的被腐蚀现象。采用Ａｌ：Ｔｉ合金栅和Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮｘ双层绝缘层的ａ－Ｓｉ ＴＦＴ有着与采用Ｔａ栅和单层ＳｉＮｘ绝缘层的ａ－Ｓｉ ＴＦＴ相近的Ｉ－Ｖ参数，但前