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高迁移率Si/Si_0.7Ge_0.3/Si调制掺杂异质结构的生长和输运性质

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：skyforce2008

【摘要】

：

采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６×１０１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１×１０１３ｃｍ－２）．

【作者】

：

江若琏刘建林李海峰郑厚植郑有炓

【机构】

：

南京大学物理系,半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1994年7期

【关键词】

：

掺杂异质结迁移率硅 SIGE

【基金项目】

：

国家攀登计划,国家八六三高技术计划资助

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采用计算机控制的快速辐射加热、超低压ＣＶＤ（ＲＲＨ／ＶＬＰ－ＣＶＤ）方法生长了Ｓｉ／Ｓｉ０．７Ｇｅ０．３／Ｓｉｐ－型调制掺杂双异质结构．研究了该结构的输运性质，其空穴霍尔迁移率高达３００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（３００Ｋ，薄层载流于浓度ｐｓ为２．６×１０１３ｃｍ－２）和８４００ｃｍ２／Ｖ·ｓ（７７Ｋ，ｐｓ为１．１×１０１３ｃｍ－２）．

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