晶体生长过程的分子动力学模拟研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wzsman
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本文采用晶液两层构型方法,分子动力学模拟研究了RbCl和βBaB2O4(BBO)两种晶体的生长过程。模拟RbCl的晶体生长,可以清晰地观察到结晶时固液界面的运动过程,表明对于简单离子晶体,FumiTosi势和由宏观压缩模量得到的势参数很好的反映了离子间相互作用。BBO的晶体生长模拟使用与RbCl模拟相同的方法,随着经验性的简单约束条件的增加,熔体中(B3O6)环增多。当使用(B3O6)环束缚约束时,实现了BBO晶体模拟生长。模拟结果表明,BBO结晶可能仅在熔体中存在一定量(B3O6)环基元时才能发生 In this paper, the crystal structure of two-layer configuration method, molecular dynamics simulation study RbCl and β BaB2O4 (BBO) two kinds of crystal growth process. The simulation of the RbCl crystal growth clearly shows the movement of the solid-liquid interface during crystallization. It shows that the Fumi-Tosi potential and the potential parameters obtained by the macro-compressive modulus reflect the intermolecular interactions well for simple ionic crystals. Crystal Growth Simulation of BBO In the same way as the RbCl simulation, the (B3O6) ring in the melt increased with increasing empiricity and simple constraints. The BBO crystal simulated growth was achieved when using the (B3O6) ring binding constraint. The simulation results show that BBO crystallization may only occur when a certain amount of (B3O6) ring elements are present in the melt
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