论文部分内容阅读
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT．器件表现出了良好的直流和高频特性，最大电流增益β为214．BVCEO为9V，集电极掺杂浓度为1×10^17cm^-3，厚度为400nm时，BVCBO为16V．在直流偏置下Ic=30mA，VCE=3．0V得到fT和fmax分别为18．0GHz和19．3GHz，1GHz下最大稳定增益为24．5dB，单端功率增益为26．6dB．器件采用了新颖的分单元结构，在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现．