注C＋外延硅的光致发光特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cd21love

【摘要】

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在N型外延硅中注入C^+并经高温退火形成了SiC沉积．不同条件下进行阳极氧化腐蚀后，在260nm光激发下获得了340nm和430nm的紫外和紫光峰，它们的单色性很好，半高宽(FWHM)约为10nm．在以

【作者】

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李玉国王强薛成山李怀祥石礼伟

【机构】

：

山东师范大学半导体研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2003年12期

【关键词】

：

注碳外延硅单色性发光中心光致发光特性 C+ implanted epitaxial silicon monochromaticity light-emit

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在N型外延硅中注入C^+并经高温退火形成了SiC沉积．不同条件下进行阳极氧化腐蚀后，在260nm光激发下获得了340nm和430nm的紫外和紫光峰，它们的单色性很好，半高宽(FWHM)约为10nm．在以上条件下SiC沉积并未多孔化，认为340nm和430nm峰可能源于样品中的C、O杂质镶嵌于纳米硅表面所形成的发光中心．讨论了各种发光中心形成的可能条件，并对实验结果做出了初步解释．

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