【摘 要】
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报导了在600℃生长温度下以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机气相沉积(LP-MOCVD)技术生长出的高质量1.60μm和1.3μmInGaAsP材料,以及在其分别限制量子讲结构生长的情况下,用质子轰击方法制得的条形
【机 构】
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集成电子学国家重点实验室吉林大学实验区
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报导了在600℃生长温度下以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机气相沉积(LP-MOCVD)技术生长出的高质量1.60μm和1.3μmInGaAsP材料,以及在其分别限制量子讲结构生长的情况下,用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为100mA。
Reported the high-quality 1.60 μm and the high-quality 1.60 μm grown by low-pressure metal-organic vapor deposition (LP-MOCVD) with trimethylgallium (TMGa) and trimethylindium (TMIn) 1.3μm InGaAsP materials, and bar-structured quantum well lasers fabricated by proton bombardment in the case that they respectively limit the growth of quantum structure. The laser has a DC threshold current of 100mA at room temperature.
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