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本文提出了模拟二氧化硅表面的浮空场板二维电场分布的一种新方法，它基于异质结器件的模拟方法，将二氧化硅用电导率为零、介电常数为３．９的材料来模拟。借助此方法对一新结构的浮空场板进行了二维数值计算，并获得实验的初步支持。
浮空场板的二维数值分析
【摘 要】
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本文提出了模拟二氧化硅表面的浮空场板二维电场分布的一种新方法，它基于异质结器件的模拟方法，将二氧化硅用电导率为零、介电常数为３．９的材料来模拟。借助此方法对一新结构的浮空
【机 构】
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电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年4期
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