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以氧化物宽禁带半导体为基体，通过掺杂磁性元素，可将非磁性半导体转变成铁磁性半导体，利用这些铁磁性半导体，能将新型的自旋电子器件集成到传统的微电子器件上，构成功能丰富的新型器件。由于稀磁半导体材料在自旋电子学中的重要作用，近年来受到广泛的关注。简要总结了有关氧化物稀磁半导体研究的发展状况；分析了制备条件对其磁性的可能影响；重点介绍了该系统中有关磁性起源的理论模型，包括双交换机制、磁极化子模型、RKKY模型等；比较了2种磁极化子理论模型，并对这些模型的适用范围进行了分析讨论。另外，还介绍了该体系微结构和磁结构