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报道了128×128AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集成电路工艺线上完成工艺制作,为得到器件参数,设计制作了台面尺寸为300μm×300μm的大面积测试器件;77K下2V偏压时暗电流密度为1.5×10^-3A/cm^2;80K工作温度下,器件峰值响应波长为8.4μm,截止波长为9μm,黑体探测率DB*为3.95×10^8(cm·Hz^1/2)/W.将128×1