【摘 要】
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采用真空坩埚下降法生长了白色发光二极管（LED）用Ce∶YAG晶体,该生长方法所得晶体的Ce3＋掺杂浓度较高,相对色温（3 751 K）低于传统方法所生长的Ce∶YAG晶体,其激发峰是位于460 nm左
【机 构】
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上海应用技术学院材料科学与工程学院晶体生长研究所,上海应用技术学院理学院,上海单晶仪器设备有限公司
【出 处】
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上海应用技术学院学报(自然科学版)
论文部分内容阅读
采用真空坩埚下降法生长了白色发光二极管（LED）用Ce∶YAG晶体,该生长方法所得晶体的Ce3＋掺杂浓度较高,相对色温（3 751 K）低于传统方法所生长的Ce∶YAG晶体,其激发峰是位于460 nm左右的宽峰,与蓝光LED的发射波长相匹配,有望代替黄色荧光粉用于白光LED.随驱动电流增加,白光LED的发光效率逐渐降低,相对色温几乎不变.在100 mA时,白光LED显色指数达到最大值.
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