白光LED面阵及其主要参数指标

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tnnd_5460
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文主要利用白光LED单管制备了白光LED面阵,将制备的白光LED面阵与日亚公司的同类产品进行了对比。研究了不同电流条件下,亮度、流明效率、色坐标和显色指数的变化。
其他文献
自党的十九大以来,习近平就如何实施乡村振兴战略和如何推进乡村实现振兴做出了一系列重要论述。这些论述具有深刻的理论渊源和现实背景,既继承和发展了马克思、恩格斯、列宁
采用稳态和时间分辨芝光研究了不同类型的LB多层膜中分子聚集特性。在半花菁/花生酸交替膜中,花生酸层的隔离使得半花菁分子之间的相互作用主要发生在同一层中,形成H形成H聚集体,荧光
报道了用电子束蒸发技术在硅守底上沉积,并于15wt%H2SO4,温度25℃和40V直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备(膜厚约400nm)。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱(FTIR)、光致荧光光谱(PL)和荧光激发光谱(PLE)。发现其荧
测量了Tm^3+掺杂的MFT玻璃材料的吸收光谱,J-O计算给出了该材料的光学跃迁强度参数Ωt(t=2,4,6)。测量了355nm激发下该材料的发射光谱,通过测量不同掺杂浓度Tm^3+ 的^1D2→^3H4
在1.5K低温和0~9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质.实验结果在4块样品中都观察到了Shubnikov-daHaSS振荡的双周期行为.表明异质结的三角势阱中有两个
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在
研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透
随着新历史条件下实践的发展,对于马克思主义理论的整体性的研究迅速兴起并日益深入,加强对马克思主义理论的整体性研究和理解,是总结历史和实践经验得出的结论,是全面准确理解马
Ca0.9Sr0.1S:Bi^3+,Tm^3+是一种复合掺杂复合基质荧光材料。在此给出了440nm和520nm发射的激发谱,250nm到350nm的激发的发射谱,以及400nm到520nm的荧光衰减谱。紫外光区域的激发谱表明,Ca0.9Sr0.1S:Bi^3+,Tm^3+有两个主要的能量传递体系,325nm的复合掺杂中心Tm^3+的CT跃迁激
冷战的结束改变了欧洲的安全结构,它标志着两极格局的瓦解,也标志着欧洲两大阵营军事对峙的结束。然而冷战的结束并不意味着欧洲安全问题的解决。与此相反,欧洲面临的是更分散、