【摘 要】
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本文结合我们的科研工作,阐述了半导体器件工艺模拟中的离子注入模型,并指出,由于离子注入具有能精确控制工艺参数,并能在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层等特点,因此在工艺
【机 构】
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浙江大学信电系,浙江大学信电系 杭州 310008,杭州 310008
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本文结合我们的科研工作,阐述了半导体器件工艺模拟中的离子注入模型,并指出,由于离子注入具有能精确控制工艺参数,并能在较大面积上形成薄而均匀的掺杂层等特点,因此在工艺模拟中选用合适的离子注入模型对于提高工艺模拟的精确性是十分重要的。
In this paper, we combine the research work of our country, elaborated the ion implantation model in process simulation of semiconductor devices, and pointed out that ion implantation has the characteristics of precise control of process parameters and the formation of thin and uniform doping layers over a large area, Therefore, the selection of a suitable ion implantation model in process simulation is very important to improve the accuracy of process simulation.
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