PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:meinv123321
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报道了一个部分耗尽(PD)SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型。该模型从PD SOI NMOSFET器件的物理结构,即由顶部的NMOSFET和底部的寄生BJT构成这一特点出发,以一定温度下PD SOI NMOSFET休-射结电流与漏-体结电流的动态平衡为核心,采用解析迭代方法求解,得出漏-体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体-射结电压,及漏-体结和体-射结电流的各主要分量,进而得到了PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型,并将一定条件下的模拟结果与
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