【摘 要】
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损伤敏感性是CMOS器件的电离辐射损伤等效研究中的一个特征参量,这个参量是辐照总剂量、剂量率、辐射类型、能量、管子类型、偏置条件、电源电压等的复杂函数。本文主要研究
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所rrrrrrrrn,中国科学院新疆物理研究所rrrrrrrrn,中国科学院新疆物理研究所
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损伤敏感性是CMOS器件的电离辐射损伤等效研究中的一个特征参量,这个参量是辐照总剂量、剂量率、辐射类型、能量、管子类型、偏置条件、电源电压等的复杂函数。本文主要研究总剂量和剂量率响应特性。实验证实,CMOS器件的损伤敏感性与电离辐照的总剂量基本无关,对剂量率的依赖也很弱。
Damage sensitivity is a characteristic parameter in the equivalent study of ionizing radiation damage in CMOS devices. This parameter is a complex function of the total dose, dose rate, radiation type, energy, tube type, bias condition, supply voltage and so on. This article focuses on total dose and dose rate response characteristics. Experiments show that the damage sensitivity of CMOS devices has nothing to do with the total dose of ionizing radiation and the dependence on dose rate is very weak.
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