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采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射（XRD）结果显示其（002）面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜（AFM）照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5 nm,其位错密度低于106cm-3。