本文通过将Cu²⁺掺入g-C₃N₄结构中成功制备了Cu/g-C₃N₄光催化剂，并进一步优化其光催化性能。同时，采用多种表征方法对Cu/g-C₃N₄光催化剂的结构、形貌、光学和光电性能进行了分析。X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）结果表明制备的光催化剂为Cu/g-C₃N₄，且Cu的价态为+2。在可见光照射下，研究了不同铜含量的Cu/g-C₃N₄和g-C₃N₄光催化剂的光催化活性。实验结果表明，Cu/g-C₃N₄光催化剂的降解能力显著高于纯相的g-C₃N₄。N₂吸附-解吸等温线表明，Cu²⁺的引入对g-C₃N₄的微观结构影响不大，说明光催化活性的提高可能与光生载流子的有效分离有关。因此，Cu/g-C₃N₄光催化降解RhB和CIP性能的提升可能是由于Cu²⁺可以作为电子捕获陷阱从而降低了载流子的复合速率。通过光电测试表明，在g-C₃N₄中掺入Cu²⁺可以降低g-C₃N₄的电子空穴复合速率，加速电子空穴对的分离，从而提高了其光催化活性。自由基捕获实验和电子自旋共振（ESR）结果表明，超氧自由基(O₂^·-)、羟基自由基（·OH）和空穴的协同作用提高了Cu/g-C₃N₄光催化剂的光催化活性。