【摘 要】
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In order to reduce the oxidizing and volatilizing caused by Mg element in the traditional methods for synthesizing Mg2Si1-xSnx (x=0.2,0.4,0.6,0.8) solid solutio
【机 构】
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College of Materials Science and Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, China;School o
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In order to reduce the oxidizing and volatilizing caused by Mg element in the traditional methods for synthesizing Mg2Si1-xSnx (x=0.2,0.4,0.6,0.8) solid solutions,microwave irradiation techniques were used in preparing them as thermoelectric materials.Structure and phase composition of the obtained materials were investigated by X-ray diffraction (XRD).The electrical conductivity,Seebeck coefficient and thermal conductivity were measured as a fumction of temperature from 300 to 750 K.It is found that Mg2Si1-xSnx solid solutions are well formed with excessive content of 5％ (molar fraction) Mg from the stoichiometric Mg2Si1-xSnx under microwave irradiation.A maximum dimensionless figure of merit,ZT,of about 0.26 is obtained for Mg2Si1-zSnxsolid solutions at about 500 K for x=0.6.
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