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阐述改善功率器件制造工艺、提升IGBT电流密度的可行性方案，基于SJNFET Ⅲ工艺平台和SJIGBT新技术，制造出650V/20A的Super-IGBT器件，当通态压降为2V时，电流密度高达515A/cm~2。
提升IGBT电流密度的制造工艺方法研究
【摘 要】
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阐述改善功率器件制造工艺、提升IGBT电流密度的可行性方案，基于SJNFET Ⅲ工艺平台和SJIGBT新技术，制造出650V/20A的Super-IGBT器件，当通态压降为2V时，电流密度高达515A/cm~2。
【机 构】
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集成电路应用
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2023年07期
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