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针对目前GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题一些新的结构改进设想。包括改变棚区掺杂浓度以及平面版图设计,并对此进行了仿真研究。结果证明可将最大集电极电流提高到2.1倍,而对其他特性无明显不良影响。