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[学位论文] 作者：崔江维,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2012
随着集成电路的发展和制造工艺的进步，半导体器件特征尺寸急剧减小至超深亚微米甚至纳米尺度。尺寸缩小带来了低功耗、高速度等优点，满足了卫星对于高性能及小型、轻便化的迫切......
[会议论文] 作者：郑齐文,余学峰,崔江维,
来源：第十届全国博士生学术年会 年份：2012
本文对超深亚微米SOI NMOSFET的热载流子效应进行了试验研究.实验结果表明:关态应力条件下,浮体超深亚微米SOI器件具有明显的热载流子效应,其特有的寄生双极效应是器件显著热载流子损伤的重要原因;与前栅晶体管一样,背栅晶体管在关态应力下也表现出显著的热载流......
[会议论文] 作者：崔江维,余学峰,任迪远,卢健,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关态泄漏电流和阈值电压增加。然而，在应力施加的过程中，一些参数发生了恢复。经过分析，认为正电性的界面态主导了参数的变化，也正是界面......
[会议论文] 作者：王信,陆妩,郭旗,吴雪,马武英,崔江维,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
选取三款R-2R梯形网络架构混合工艺数模转换器作为研究对象,三款样品分别采用LC2MOS、CBCMOS 和BiCMOS工艺制作,使用60Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射响应特性研究,本次研究重点为三款器件的剂量率效应特性的差异及产生原因.试验结......
[期刊论文] 作者：卢健,余学峰,郑齐文,崔江维,胥佳灵,,
来源：微电子学 年份：2013
通过对ETC公司的商用256kb和1Mb CMOS SRAM器件在不同偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射效应的研究,获得了SRAM器件电气参数和功能出错数随总剂量的响应关...
[会议论文] 作者：李培;郭红霞;郭旗;文林;崔江维;王信;张晋新;,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高SiGe HBT抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的SiGe HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪...
[期刊论文] 作者：李培,郭红霞,郭旗,文林,崔江维,王信,张晋新,,
来源：物理学报 年份：2015
本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高锗硅异质结双极晶体管(Si Ge HBT)抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的Si Ge HBT开展了单粒...
[会议论文] 作者：王信,陆妩,郭旗,吴雪,刘默涵,姜柯,崔江维,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同于传统单一工艺DAC，本次研究中的两款样品的功能参数及功率参数均表现出了潜在的低剂量率损伤增强效应，这有别于传统CMOS工艺DAC表现......
[期刊论文] 作者：崔江维, 郑齐文, 余徳昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 郭旗,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)的负偏压温度不稳定性(NBTI)是制约纳米MOS器件在长寿命电子系统中应用的关键问题之一。为了准确地表征NBTI效应对器件参数的影响,...
[期刊论文] 作者：崔江维, 郑齐文, 余德昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 魏莹,
来源：电子学报 年份：2018
随着MOS器件尺寸缩小,可靠性效应成为限制器件寿命的突出问题.PMOS晶体管的负偏压温度不稳定性(NBTI)是其中关键问题之一.NBTI效应与器件几何机构密切相关.本文对不同宽长比...
[期刊论文] 作者：文林,李豫东,郭旗,孙静,任迪远,崔江维,汪波,玛丽娅,,
来源：微电子学 年份：2015
为了研究电子辐照导致CCD参数退化的损伤机理,以及CCD内不同沟道宽长比的NMOSFET的辐射效应,将与CCD同时流片的两种不同沟道宽长比的深亚微米NMOSFET进行电子辐照实验。分析...
[期刊论文] 作者：文林,李豫东,郭旗,孙静,任迪远,崔江维,汪波,玛丽娅,,
来源：微电子学 年份：2015
为了研究深亚微米工艺CCD的辐射效应特性,了解因器件特征尺寸变小引入的新效应,对0.18μm商用工艺线上流片的不同沟道宽长比的N型沟道MOSFET器件进行了60Co-γ射线辐照实验,...
[会议论文] 作者：周航,余学峰,崔江维,郭旗,任迪远,郑齐文,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
对深亚微米PD型SOI NMOS进行了辐射环境下的热载流子效应研究.通过对照试验,定性的分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响.得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时...
[会议论文] 作者：郑齐文;余学峰;崔江维;郭旗;任迪远;周航;,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
本文通过分析器件功能失效与静态功耗电流上升的关系,结合加入辐射影响因素的HSPICE电路仿真,研究了不同工艺尺寸静态随机存储器(SRAM)的总剂量辐射损伤特征及机制.研究结果...
[期刊论文] 作者：马腾,郑齐文,崔江维,周航,苏丹丹,余学峰,郭旗,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
The effects of proton irradiation on the subsequent time-dependent dielectric breakdown(TDDB) of partially depleted SOI devices are experimentally investigated....
[期刊论文] 作者：王信,陆妩,吴雪,马武英,崔江维,刘默寒,姜柯,,
来源：物理学报 年份：2014
为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线...
[期刊论文] 作者：崔江维,余学峰,任迪远,何承发,高博,李明,卢健,,
来源：半导体学报 年份：2011
Radiation experiments have been carried out with a SOI NMOSFET.The behavior of double humps was studied under irradiation.The characterization of the hump was d...
[期刊论文] 作者：周航,崔江维,郑齐文,郭旗,任迪远,余学峰,,
来源：物理学报 年份：2015
随着半导体技术的进步,集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域,使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战.进行小尺寸器件电离辐射环...
[期刊论文] 作者：余德昭,郑齐文,崔江维,周航,余学峰,郭旗,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
In this paper,total dose responses and reliability issues of MOSFETs fabricated by 65 nm CMOS technology were examined. “Radiation-induced narrow channel effec...
[期刊论文] 作者：崔江维, 郑齐文, 余德昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 魏莹,,
来源：电子学报 年份：2018
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