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[学位论文] 作者：任在元,
来源：清华大学 年份：2002
该论文在国产固源分子束外延(MBE)系统的基础上,利用新型三温区阀控裂解固态磷源炉,对InAsP多量子阱材料的生长进行了全面的研究.论文首先通过实验比较了在As...
[期刊论文] 作者：任在元,郝智彪,等,
来源：半导体学报 年份：2002
在国产分子束外延设备的基础上，利用新型阀控裂解As源炉，对AS2和AS4的生长特性进行了全面的研究，以AS2和AS2两种模式，在（001）InP衬底上生长了高质量的InAsP体材料和InAsyP1-y/InP多...
[期刊论文] 作者：郝智彪,任在元,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
利用新型全固源分子束外延技术，对1.55μm波段的InAsP/InGaAsP应变多量子阱结构的生长进行了研究。实验表明，较低的生长温度或较大的V/Ⅲ束流比有利于提高应变多量子阱材料的结...
[期刊论文] 作者：何为,郝智彪,任在元,罗毅,
来源：稀有金属 年份：2004
利用新型全固源分子束外延技术,对1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料的生长进行了研究.在InAsP阱和InGaP垒之间插入InP中间层以减小阱和垒之间较大的剪切力.通过...
[期刊论文] 作者：郝智彪,任在元,何为,罗毅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
利用新型全固源分子束外延技术 ,对 1 .5 5 μm波段的 In As P/ In Ga As P应变多量子阱结构的生长进行了研究。实验表明 ,较低的生长温度或较大的 / 束流比有利于提高应...
[期刊论文] 作者：任在元,郝智彪,何为,罗毅,
来源：半导体学报 年份：2002
在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型阀控裂解 As源炉 ,对 As2 和 As4 的生长特性进行了全面的研究 .以 As2 和 As4 两种模式 ,在 (0 0 1) In P衬底上生长了高质量的 In...
[会议论文] 作者：罗毅,任在元,郝智彪,何为,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
外延生长是半导体材料和器件制造的最关键的工艺技术,半导体材料和器件的生长技术主要分为两类:金属有机化合物化学气相外延和分子束外延(MBE).本文主要介绍一些基于MBE技术...
[会议论文] 作者：郝智彪,任在元,何为,罗毅,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文利用新型全固源分子束外延技术,对1.55μm波段的InAsP/InGaAsP应变多量子阱材料的生长进行了研究.在此基础上生长了多量子阱激光器结构,制作的氧化物条形激光器实现了室...
[会议论文] 作者：任在元,郝智彪,何为,罗毅,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文在国产分子束外延设备的基础上,利用新型阀控裂解源炉对As(砷的四聚体)和As的生长特性进行了全面的研究....
[期刊论文] 作者：郝智彪,卢京辉,任在元,罗毅,
来源：半导体学报 年份：2000
在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研究。生长了高质量的 In P外延层 ,表面缺陷...
[会议论文] 作者：郝智彪,卢京辉,任在元,罗毅,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
该文在国产分子束外延设备的基础上，引进了一套RIBER的全固态源炉并尝试着进行了材料生长，获得了一些初步结果。利用三温区阀控裂解磷源炉生长子非故意掺杂的InP表面形貌良好，生......
[会议论文] 作者：罗毅,郝智彪,卢京辉,任在元,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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