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[期刊论文] 作者：李相民,候洵,
来源：半导体学报 年份：1996
本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性，其中包括阴极的内部量子效率，电子的能量分布函数，是转移效率，同时也给出了阴极的时间响应特性。...
[期刊论文] 作者：杨滨,张济康,候洵,,
来源：红外技术 年份：1991
本文用质谱分析的方法,对广泛应用于象增强器制作的铯分子源的去气过程进行了质谱分析,给出了铯分子源的最佳去气电流与时间。这组数据将有助于正确控制去气过程。...
[期刊论文] 作者：杨建军,阮双琛,候洵,
来源：强激光与粒子束 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：贺永宁,朱长纯,候洵,杨晓东,
来源：硅酸盐学报 年份：2005
由改进的电子陶瓷工艺制备了ZnO(99.99%)高纯陶瓷靶材.用激光分子束外延(laser molecular beam epitaxy,L-MBE))工艺,采用这种靶材在蓝宝石基片上较低温度下生长了高结晶质量...
[期刊论文] 作者：薛媛,王小力,吴朝新,候洵,
来源：西安交通大学学报 年份：2009
采用简化热阻模型和一维稳态有内热源的热传导方程，对有机电致发光（OLED）器件的热传导特性进行了研究．为了改善OLED器件的性能，设计并实现了一种新型结构的OLED器件．在给定OLED器件......
[期刊论文] 作者：高鸿楷,云峰,张济康,龚平,候洵,
来源：高速摄影与光子学 年份：1991
用自制常压MOCVD系统,在半绝缘GaAs衬底上生长高Al组份Al_xGa_(1-x)As(其x值达0.83),和Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层结构,表面镜面光亮。生长层厚度从几十到...
[期刊论文] 作者：龚平,杜力,过晓晖,刘英,候洵,贾炜,
来源：光子学报 年份：1995
本文研究的电子陷获型红外上转换材料是在改进传统工艺的基础上，使用硫化助熔法，在石英反应管中，基质合成和掺杂一次完成，具有工艺简单、生长周期短、重复性好的优点。由于反应在......
[期刊论文] 作者：李隆,赵致民,张伟,李春,白晋涛,候洵,
来源：西安交通大学学报 年份：2003
为了减少单端高功率泵浦造成的增益介质吸收不均匀性,采用双端泵浦折叠腔结构.折叠腔的模参数调整灵活以及腔内有效空间大,腔内倍频可以降低阈值,提高了全固态激光器对于泵浦...
[期刊论文] 作者：李晋闽,郭里辉,张工力,王存让,候洵,
来源：量子电子学 年份：1991
使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光电阴极的光电成像器件在光纤通讯、医学、夜视以及其它科研领域有着广泛的用途。其核心部件是二元、三元或四元化合物半导体材料光电阴极。国外在...
[期刊论文] 作者：龚平,杜力,过晓晖,刘英,候洵,贾炜,
来源：光子学报 年份：1995
本文研制的电子陷获（ＥＴ）型红外上转换材料是在改进传统工艺的基础上，使用硫化助熔法，在石英反应管中，基质合成和掺杂一次完成，具有工艺简单、生长周期短、重复性好的优点。由于反应在......
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,孔梅影,候洵,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
在国产CBE设备上，用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（1～18nm）的高质量的In0.53Ga0.47As／InP匹配量子阱结构材料，低温光致发光谱测试结果表明：量子阱材料发光谱峰强且......
[期刊论文] 作者：李晋闽,郭里辉,王力鸣,王存让,张工力,候洵,
来源：高速摄影与光子学 年份：1991
本文主要对阈值波长可达1.25μm的InGaAsP光电阴极进行了详细的研究。在国内首次实现了在0.5μm～1.25μm波段范围内具有光电响应的半导体光电阴极。用Cs和O_2激活后得到的光电...
[期刊论文] 作者：候洵,常增虎,张小秋,龚美霞,雷志远,牛丽宏,杨宏儒,
来源：高速摄影与光子学 年份：1987
本文介绍了我们正在研究的x射线皮秒分幅相机技术的最新理论和实验研究结果。我们提出了一种新的实现皮秒分幅的技术方案。设计了适合于本方案的新型变象管。用直流X射线源...
[期刊论文] 作者：王博,白永林,曹伟伟,徐鹏,刘百玉,缑永胜,朱炳利,候洵,
来源：物理学报 年份：2015
高能密度物理研究中涉及许多单次皮秒现象的诊断测量,然而对单次X-ray脉冲形状、X-ray与激光脉冲的皮秒精度同步依然是极具挑战的课题.传统行波选通分幅相机受电子渡越时间限...
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