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[学位论文] 作者：冉广照,
来源：北京大学 年份：2001
该论文系统研究了金属膜/纳米介质膜/Si结构的可见或近红外电致发光,其中的纳米介质膜有如下几种:自然氧化硅,SiO,SiO:Si,SiO:Si:Al,SiO:Si:Er等.得出一些创新的实验成果,概...
[学位论文] 作者：冉广照,
来源：郑州大学 年份：1996
根据国内外太阳电池研制和生产的状况,选择了机械开槽掩埋电极(Mchanical Groore Buried Contract,简称MGBC)高效低成本太阳电池进行研制.利用CAD技术对太阳电池的关键工...
[期刊论文] 作者：文杰,陈挺,冉广照,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2009
硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源，文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n＋型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅（SiO2∶Si）薄膜，然后用热扩散法进......
[期刊论文] 作者：尤力平,冉广照,
来源：电子显微学报 年份：2005
Si3N4是一种用途广泛的功能材料,Si3N4纳米线有望在电子、光学和机械领域展现其特殊性能.在没有催化剂情况下,我们在硅衬底上直接合成了Si3N4/SiO2同轴纳米线....
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
在n^+ -Si衬底上用磁控溅射演积掺Er氧化硅（SiO2:Er)薄膜和掺Er富硅氧化硅（SixO2:Er,x>1)薄膜，薄膜经适当温度退火后，蒸上电极，形成发光二极管（LED）。室温下在大于4V反偏电压下发射......
[会议论文] 作者：尹扬,冉广照,秦国刚,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
由于近些年来光电子发展的迫切需要，研究和开发能够与微电子领域现有S技术兼容的硅基光互连和硅基光电集成变得越来越重要。同时，由于Si本身是非直接带隙半导体材料，其发光效率......
[期刊论文] 作者：孙凯,徐万劲,冉广照,,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2010
采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅（SRN：Er）薄膜和SRN：Er/Ni3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验。SRN：Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750nm的发光带和......
[期刊论文] 作者：屈海京,陶利,王维,冉广照,
来源：红外与毫米波学报 年份：2014
自行设计了基于8-羟基喹啉铒（ErQ）为发射层（EMLs）和二硝酰胺铵（ADN）为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为（p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen∶ Cs2CO3/Sm/Au）,设计并比较...
[期刊论文] 作者：冉广照,文杰,尤力平,徐万劲,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2011
利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜（SiO2：Ag），制作了电致发光结构ITO／SiO2：Ag／p-Si，观测到了可见区的电致发光。发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提......
[期刊论文] 作者：李艳平,陶利,冉广照,陈娓兮,,
来源：实验技术与管理 年份：2016
为了解决制约硅基光电集成技术发展的硅基激光器等硅基光源的制备问题,提出了一种新颖的选区金属键合方法,解决了传统金属键合方法中光吸收损耗严重的问题,并实现了直接键合方法中的高效率光耦合。该方法具有工艺简单,环境要求低,电、热和机械性能优越,键合温度......
[会议论文] 作者：江得福;冉广照;阚强;陈弘达;,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
随着通讯技术的快速发展，光互连已经成为当前世界上的热门研究项目和重大的开发领域。为了解决目前光互连与微电子线宽尺寸不匹配的问题，表面等离极化激元(SPP)波导将是比较合......
[会议论文] 作者：侯瑞祥,李磊,徐万劲,冉广照,秦国刚,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
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[期刊论文] 作者：陈挺,冉广照,尤力平,赵华波,秦国刚,
来源：ChineseOpticsLetters 年份：2009
Electroluminescence peaking at 1.3 \mum is observed from high concentration boron-diffused silicon p -n junctions. This emission is efficient at low temperature with a quantum efficiency 40 times higher than that of the band-to-band emissio......
[期刊论文] 作者：冉广照,陈源,陈开茅,张晓岚,刘鸿飞,,
来源：物理学报 年份：2004
发展了恒温电容瞬态数据处理方法,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICTTS方法测量分析了C70固体/p-GaAs异质结的深能级,结果发现在C70固体中存在两个很深的空穴陷阱...
[会议论文] 作者：张连学,葛超洋,方鑫,翟文豪,田程,冉广照,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
电磁场的"热点(hot spot)"是电磁场强烈增强的区域,通常形成于耦合结构尤其是金属颗粒之间或者金属颗粒与金属薄膜之间的纳米间隙中.近年来,多个研究组报道了三角棱柱尖端耦合的金属蝶形纳米天线.设计了一种高折射率的全介质蝶形纳米阵列结构，在去除金属的本征损......
[会议论文] 作者：秦璐,许兴胜,徐波,张连学,葛超洋,冉广照,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
设计并生长了发光波长1200-1300纳米GaAs基量子点材料,制作了利用ITO透明导电层作为N型电极InAs/GaAs量子点激光器结构,利用金属In与SOI波导材料辅助键合,测量了器件的电学和光学特性....
[期刊论文] 作者：袁放成, 冉广照, 陈源, 张伯蕊, 乔永平, 付济时, 秦国刚,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2001
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[会议论文] 作者：姚利,余婷,巴理想,孟虎,方鑫,冉广照,皮孝东,秦国刚,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
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[会议论文] 作者：葛超洋,张连学,方鑫,翟文豪,田程,李艳平,冉广照,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
由于Ⅲ-Ⅴ族材料的能带特点,无应变或压应变量子阱激光器发出的通常为TE模式的光,而TM模式的光有包括偏振复用在内的多种应用前景.为此,采用了表面等离基元超材料,基于一种全新的偏振转换原理,制作了以TM偏振模式为主要输出的Ⅲ-Ⅴ/Si混合激光器.利用成熟的选区......
,Dependence of 1.54 μm Photoluminescence on Excess-Si Degrees of Er-Doped Si-Rich SiO2 Films Deposit
[期刊论文] 作者：冉广照,陈源,秦国刚,马振昌,宗婉华,谢立青,郭春刚,
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2001
Room-temperature 1.54 μm photoluminescence (PL) is observed from Er-doped Si-rich SiO2 (SiO2:Si:Er) films deposited by using the magnetron sputtering technique...
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