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[期刊论文] 作者：佟嵩,刘湘娜,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道了在用等离子体增强化学汽相淀积法制备的氢化纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）／氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）多层膜中，未经任何后处理工艺，观察到室温可见光致发光（ＰＬ）。当ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ层厚度由４．０ｎｍ下降至２．１ｎｍ时，ＰＬ峰波长由７５０ｎｍ兰移至７０８ｎｍ。本文将这种......
[期刊论文] 作者：刘湘娜,许明德,
来源：红外研究 年份：1984
本文研究了用辉光放电热分解硅烷方法淀积的微晶-Si:H薄膜的Steabler Wronski(SW)效应。用改变高频功率的方法,获得从非晶到具有不同晶粒大小的微晶薄膜。晶粒尺度用小角散...
[期刊论文] 作者：何宇亮,刘湘娜,,
来源：贵金属 年份：1981
作者选取在非晶硅晶化温度附近(550～800℃)用控制生长温度的办法制备出具有不同晶粒大小的多晶与非晶硅薄膜.在100～700K温度范围内测量了直流电导率随温度的变化.随着晶粒尺度...
[期刊论文] 作者：鲍希茂,刘湘娜,
来源：薄膜科学与技术 年份：1995
硅是微电子技术的基础材料，硅集成技术已高度发展，但硅却是非发光材料。为了发展硅基光电子技术，人们对硅基发光材料作了多方面的探索，其中有“缺陷工程”－在硅中引入作为辐射复合......
[期刊论文] 作者：何宇亮,刘湘娜,
来源：电子学报 年份：1982
本文采用TED、SEM和X光谱分析法研究了在550～750℃范围内用常压CVD法生长非晶硅薄膜的晶化和结构特性。指出了CVD非晶硅的晶化温度是680±10℃。在晶化温度以下的温度范围内,...
[期刊论文] 作者：何宇亮, 刘湘娜,
来源：自然杂志 年份：1981
＜正＞ 对非晶态半导体的研究,近些年来在国内外受到了相当大的重视。大量的实验事实指出,非晶薄膜结构以及它们的基本性能与生长方法和工艺条件是密切相关的。实验曾指出,不论α-Si:H合金膜还是α-Si:F:H合金膜,......
[期刊论文] 作者：赵周英,刘湘娜,唐文国,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
We have studied TV content influence in two ranges of x(R1.,R2) by Raman, PL, IR spectra on PCVD a-Si:H/a-SiNx:H samples with constant sublayer thickness and cy...
[期刊论文] 作者：何宇亮,郁彬,赵周英,刘湘娜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
We have studied the conduction mechanism of a series of a-Si:H/a-SiNx:H multi-layers samples which have an identical sublayer thickness and periodic numbers, ex...
[期刊论文] 作者：邱树业,王志超,刘湘娜,冯小梅,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：1990
我们应用光声技术,研究a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜中载流子的非辐射复合和量子尺寸效应,发现载流子的非辐射复合与超晶格薄膜中的缺阱有关;超晶格薄膜的光学能隙随着势阱宽...
[期刊论文] 作者：王志超,刘湘娜,何宇亮,吴汝麟,
来源：半导体学报 年份：1987
本文报道了a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜的制备方法、结构以及在光学方面的量子尺寸效应.This paper reports the preparation, structure and quantum size effect of a-Si...
[期刊论文] 作者：刘湘娜,何宇亮,沈宗雍,吴汝麟,
来源：电子学报 年份：1983
本文研究了用常压GVD法和GD(辉光放电)法生长的非晶与多晶硅薄膜电导特性随膜中晶粒大小的变化规律。在临近晶化温度上下范围生长的样品,带尾宽度随膜中晶粒增大而显著地减小...
[期刊论文] 作者：何宇亮,褚一鸣,王中怀,刘湘娜,白春礼,
来源：半导体学报 年份：1994
对使用等离子体增强化学汽相沉积法制备的纳米硅薄膜，使用ＨＲＥＭ及ＳＴＭ技术观测了其显微结构，给出大量的界面结构图象，首次获得有关晶粒及界面区中原子的分布情况。使我们认识到ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中界面区......
[期刊论文] 作者：刘湘娜,何宇亮,鲍希茂,徐刚毅,眭云霞,,
来源：物理学报 年份：2001
研究了掺杂纳米硅薄膜(nc-：Si：H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态。样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成，为两相结构，即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中。对掺磷的nc-......
[期刊论文] 作者：刘湘娜,徐刚毅,眭云霞,何宇亮,鲍希茂,
来源：物理学报 年份：2001
研究了掺杂纳米硅薄膜 (nc ∶Si∶H)中的电子自旋共振 (ESR)及与之相关的缺陷态 .样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成 ,为两相结构 ,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中 ....
[期刊论文] 作者：佟嵩,刘湘娜,王路春,阎峰,鲍希茂,
来源：物理学报 年份：1997
在用等离子体增强化学汽相淀积的嵌有纳米晶粒硅薄膜中观测到电致发光．发光谱处在５００—８００ｎｍ之间，它有两个分别位于６３０—６８０ｎｍ和７３０ｎｍ附近的峰，两个峰的强度与薄膜的电导率有密切关系．根据这种材料的结......
[期刊论文] 作者：何宇亮, 周衡南, 刘湘娜, 程光煦, 余是东,,
来源：物理学报 年份：2004
使用X射线衍射技术和高分辨率电子显微镜(HREM),分析研究了在非晶硅薄膜由非晶相向微晶相转化过程中其网络结构的变化特征,由此,给人们一个直观的信息,并加深对非晶硅薄膜微...
[期刊论文] 作者：张荣,施洪涛,郑有,于是东,何宇亮,刘湘娜,
来源：高技术通讯 年份：1994
提出了热丝化学气相淀积法，在低温（６００－７５０℃）下成功地生长出硅上单晶碳化硅薄膜，Ｘ光衍射谱、喇曼光谱证实了外延膜的单晶结构，光致发光测量证明外延ＳｉＣ材料室温下可稳定发射可见光。A hot......
[期刊论文] 作者：佟嵩,刘湘娜,高婷,尹浩,陈逸君,鲍希茂,
来源：物理学报 年份：1999
用等离子体增强辉光放电法制成ａＳｉ∶Ｈ∶Ｏ薄膜，未经任何后处理过程，观察到峰值分别位于３４０—３７０，４００—４３０以及７４０ｎｍ的三个光致发光（ＰＬ）带．这种紫外光发射既强又稳定，其强度与薄膜中的氧含量紧密相关，而后者可......
[期刊论文] 作者：何宇亮,刘湘娜,王志超,程光煦,王路春,余是东,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1992
使用大量氢稀释硅烷,严格控制PECVD系统中的工艺参数,分别沉积出a-Si:H,nc-Si:H 以及μc-Si:H薄膜.使用HREM,Raman及X射线谱,探讨了nc-Si:H膜的结构特征.结果表明,它已符合国际上对于固体纳米材料的认识.由于结构上的新颖性,使它具有一系列鲜为人知的物性.......
[期刊论文] 作者：刘湘娜,王路春,佟嵩,鲍希茂,眭云霞,韩世莹,金通政,
来源：半导体学报 年份：1995
用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法研究了含纳米晶粒：ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的缺陷态．这种薄膜是用等离子体增强ＣＶＤ方法制备而成，未经任何后处理过程，在室温观察到可见光范围的光致发光．薄膜的ＥＳＲ谱由三个部分组成：（１）一对轴......
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