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[期刊论文] 作者:姜伟,李书平,刘达艺,康俊勇,,
来源:福州大学学报(自然科学版) 年份:2007
采用椭圆偏振光谱对MOCVD生长的AlN薄膜在波长430~850 nm的光学参数进行了测量.通过建立不同的物理和色散模型,分别考察了薄膜表面和界面的椭偏效应.拟合结果表明,AlN薄膜的...
[期刊论文] 作者:姜伟,李书平,刘达艺,康俊勇,JIANGWei,LIShu-,
来源:黑龙江科技学院学报 年份:2007
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者:俞金玲,姜伟,李书平,刘达艺,康俊勇,,
来源:福州大学学报(自然科学版) 年份:2007
采用椭圆偏振光谱法,在1.5~6.5 eV光谱范围研究了纤锌矿结构GaN外延薄膜.通过物理模型建立和光谱拟合得到了GaN外延薄膜的厚度和光学常数.所得厚度值与扫描电子显微镜测量的...
[期刊论文] 作者:俞金玲,姜伟,李书平,刘达艺,康俊勇,YUJin-ling,,
来源:黑龙江科技学院学报 年份:2007
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者:王元樟,李金钗,李书平,陈航洋,刘达艺,康俊勇,,
来源:厦门理工学院学报 年份:2010
采用掠入射X射线反射谱技术和原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD Alx Ga1-xN/GaN超晶格结构的界面与表面进行了表征,将反射谱数据与X射线衍射结果结合获得了垒层组分及阱层宽度...
[会议论文] 作者:康俊勇;李书平;杨伟煌;李金钗;陈航洋;刘达艺;,
来源:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份:2008
本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度...
[会议论文] 作者:王元樟,李金钗,李书平,陈航洋,刘达艺,康俊勇,
来源:第十七届全国半导体物理学术会议 年份:2009
CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料,其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1...
X-ray reflectivity and atomic force microscopy studies of MOCVD grown AI_xGa_(1-x)N/GaN superlattice
[期刊论文] 作者:王元樟,李金钗,李书平,陈航洋,刘达艺,康俊勇,,
来源:半导体学报 年份:2011
The grazing incidence X-ray reflectivity(GIXR) technique and atomic force microscopy(AFM) were exploited to obtain an accurate evaluation of the surfaces and in...
[期刊论文] 作者:张彬彬, 李书平, 李金钗, 蔡端俊, 陈航洋, 刘达艺, 康俊,
来源:厦门大学学报(自然科学版 年份:2012
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[期刊论文] 作者:张彬彬,李书平,李金钗,蔡端俊,陈航洋,刘达艺,康俊勇,,
来源:厦门大学学报(自然科学版) 年份:2012
采用金属有机物气相外延(MOVPE)技术在c面蓝宝石衬底上,引入脉冲原子层外延技术,制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片.并采用电子束金属蒸镀技术及优化热......
[期刊论文] 作者:陈航洋,刘达艺,李金钗,林伟,杨伟煌,庄芹芹,张彬彬,杨闻操,
来源:物理学进展 年份:2013
随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2eV,可覆盖短至210nm的深......
[期刊论文] 作者:陈航洋,刘达艺,李金钗,林伟,杨伟煌,庄芹芹,张彬彬,杨闻操,蔡,
来源:物理学进展 年份:2013
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[会议论文] 作者:高娜,郑同场,杨伟煌,林伟,李金钗,陈航洋,刘达艺,李书平,康俊勇,
来源:中国物理学会2013年秋季学术会议 年份:2013
高Al组分AlGaN氮化物结构材料能隙宽至6.2 eV,可覆盖至210 nm的深紫外波长范围,具有波长易调控、耐高温、调制频率高、噪声低等诸多独特的优点,是制备短波长半导体发光和...
[会议论文] 作者:李孔翌,杨伟煌,李金钗,李书平,蔡端俊,陈航洋,刘达艺,康俊勇,
来源:第十八届全国半导体物理学术会议 年份:2011
在本文中,主要探讨在结构材料中引入AlGaN:In插入层对多量子阱发光的影响。采用适当厚度的AlGaN: In插入层可提升表面与界面的平整度,提高其上外延层的晶体质量、组分均一性......
[会议论文] 作者:杨伟煌,康俊勇,李金钗,黄柏凯,卢廷昌,郭浩中,李书平,杨旭,陈航洋,刘达艺,
来源:中国真空学会2012学术交流会 年份:2012
近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al组分的升高,高质量和高电导AlGaN材料的生长越加困难,AlGaN基紫外LED的效率急剧下降。如何......
[会议论文] 作者:杨伟煌[1]康俊勇[1]李金钗[1]黄柏凯[2]卢廷昌[2]郭浩中[2]李书平[1]杨旭[1]陈航洋[1]刘达艺[1],
来源:中国真空学会2012学术交流会 年份:2012
近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al...
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