搜索筛选:
搜索耗时2.2771秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 16 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：姜伟,李书平,刘达艺,康俊勇,,
来源：福州大学学报(自然科学版) 年份：2007
采用椭圆偏振光谱对MOCVD生长的AlN薄膜在波长430~850 nm的光学参数进行了测量.通过建立不同的物理和色散模型,分别考察了薄膜表面和界面的椭偏效应.拟合结果表明,AlN薄膜的...
[期刊论文] 作者：姜伟，李书平，刘达艺，康俊勇，JIANGWei，LIShu-,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2007
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：俞金玲,姜伟,李书平,刘达艺,康俊勇,,
来源：福州大学学报(自然科学版) 年份：2007
采用椭圆偏振光谱法,在1.5~6.5 eV光谱范围研究了纤锌矿结构GaN外延薄膜.通过物理模型建立和光谱拟合得到了GaN外延薄膜的厚度和光学常数.所得厚度值与扫描电子显微镜测量的...
[期刊论文] 作者：俞金玲，姜伟，李书平，刘达艺，康俊勇，YUJin-ling，,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2007
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：王元樟,李金钗,李书平,陈航洋,刘达艺,康俊勇,,
来源：厦门理工学院学报 年份：2010
采用掠入射X射线反射谱技术和原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD Alx Ga1-xN／GaN超晶格结构的界面与表面进行了表征，将反射谱数据与X射线衍射结果结合获得了垒层组分及阱层宽度...
[会议论文] 作者：康俊勇;李书平;杨伟煌;李金钗;陈航洋;刘达艺;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度...
[会议论文] 作者：王元樟,李金钗,李书平,陈航洋,刘达艺,康俊勇,
来源：第十七届全国半导体物理学术会议 年份：2009
CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1...
X-ray reflectivity and atomic force microscopy studies of MOCVD grown AI_xGa_(1-x)N/GaN superlattice
[期刊论文] 作者：王元樟,李金钗,李书平,陈航洋,刘达艺,康俊勇,,
来源：半导体学报 年份：2011
The grazing incidence X-ray reflectivity(GIXR) technique and atomic force microscopy(AFM) were exploited to obtain an accurate evaluation of the surfaces and in...
[期刊论文] 作者：张彬彬, 李书平, 李金钗, 蔡端俊, 陈航洋, 刘达艺, 康俊,
来源：厦门大学学报(自然科学版 年份：2012
...
[期刊论文] 作者：张彬彬,李书平,李金钗,蔡端俊,陈航洋,刘达艺,康俊勇,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2012
采用金属有机物气相外延（MOVPE）技术在c面蓝宝石衬底上，引入脉冲原子层外延技术，制备了一系列表面平整度较高的高Al组分AlGaN基异质结构外延片．并采用电子束金属蒸镀技术及优化热......
[期刊论文] 作者：陈航洋,刘达艺,李金钗,林伟,杨伟煌,庄芹芹,张彬彬,杨闻操,
来源：物理学进展 年份：2013
随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟，人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6．2eV，可覆盖短至210nm的深......
[期刊论文] 作者：陈航洋,刘达艺,李金钗,林伟,杨伟煌,庄芹芹,张彬彬,杨闻操,蔡,
来源：物理学进展 年份：2013
...
[会议论文] 作者：高娜,郑同场,杨伟煌,林伟,李金钗,陈航洋,刘达艺,李书平,康俊勇,
来源：中国物理学会2013年秋季学术会议 年份：2013
高Al组分AlGaN氮化物结构材料能隙宽至6.2 eV,可覆盖至210 nm的深紫外波长范围,具有波长易调控、耐高温、调制频率高、噪声低等诸多独特的优点,是制备短波长半导体发光和...
[会议论文] 作者：李孔翌,杨伟煌,李金钗,李书平,蔡端俊,陈航洋,刘达艺,康俊勇,
来源：第十八届全国半导体物理学术会议 年份：2011
在本文中，主要探讨在结构材料中引入AlGaN：In插入层对多量子阱发光的影响。采用适当厚度的AlGaN： In插入层可提升表面与界面的平整度，提高其上外延层的晶体质量、组分均一性......
[会议论文] 作者：杨伟煌,康俊勇,李金钗,黄柏凯,卢廷昌,郭浩中,李书平,杨旭,陈航洋,刘达艺,
来源：中国真空学会2012学术交流会 年份：2012
近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al组分的升高,高质量和高电导AlGaN材料的生长越加困难,AlGaN基紫外LED的效率急剧下降。如何......
[会议论文] 作者：杨伟煌[1]康俊勇[1]李金钗[1]黄柏凯[2]卢廷昌[2]郭浩中[2]李书平[1]杨旭[1]陈航洋[1]刘达艺[1],
来源：中国真空学会2012学术交流会 年份：2012
近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al...
相关搜索：
