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[期刊论文] 作者：黄庆安,吕世骥,
来源：半导体杂志 年份：1991
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[期刊论文] 作者：黄庆安,吕世骥,
来源：东南大学学报：自然科学版 年份：1991
较详细地讨论了GaAs压电效应的起源。有3种不同的机制对压电效应有贡献.这些机制是离子电荷的内部位移、电子电荷的内部位移和由于应变引起的离子性的变化.推导出了任意晶体...
[期刊论文] 作者：吕世骥,黄庆安,
来源：半导体学报 年份：1991
本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了...
[期刊论文] 作者：黄庆安,吕世骥,
来源：半导体学报 年份：1992
本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压...
[期刊论文] 作者：黄庆安,吕世骥,
来源：东南大学学报：自然科学版 年份：1992
本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注...
[期刊论文] 作者：黄如,吕世骥,
来源：电子器件 年份：1992
本文主要分析了16×16电容式触觉传感阵列中一种新的单元结构——异型膜结构的理论设计.建立了异型膜模型,并首次通过求解大挠度情况下的挠曲微分方程,对异型膜进行数值...
[期刊论文] 作者：蔡跃明,吕世骥,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：蔡跃明,吕世骥,
来源：半导体技术 年份：1990
本文研究了等离子体氢处理对Si-SiO_2结构的影响。结果表明,Si-SiO_2结构经等离子体氢处理后,其界面特性变差。...
[期刊论文] 作者：吕世骥,蔡跃明,
来源：东南大学学报：自然科学版 年份：1989
论述了等离子体氮化对SiO_2薄膜中电子陷阱的影响。提出了一种计算电子陷阱能级和陷阱密度的温度修正。实验结果表明:SiO_2薄膜经等离子体氮化后,电子陷阱的密度和俘获截面有...
[期刊论文] 作者：张盛东,吕世骥,
来源：传感技术学报 年份：1992
智能传感器的开发、使用已为人们所关注,20多年来,国内外有很多报导.本文就此对其概念、研制动态和需要解决的技术课题等作一综合性介绍,供同仁参考.1 智能传感器的一般...
[期刊论文] 作者：吕世骥,胡丕成,
来源：半导体技术 年份：1985
本文分析了现有确定表面层内少子产生寿命分布方法的缺点.根据MOS电容对阶跃电压和线性扫描电压瞬态响应物理过程,导出了两个关于少子寿命纵向分布的表达式.由此提出了两种确...
[会议论文] 作者：阮宝松,吕世骥,,
来源：南京工学院学报 年份：1987
文中提出一种新型的高清晰度电视摄象管的方案。特点是采用“反向击穿硅光电二极管”做靶面,并用快电子扫描。它不仅具有快电子扫描分辨率高的优点,还具有慢电子扫描的优点,...
[期刊论文] 作者：蔡跃明,吕世骥,
来源：半导体技术 年份：1989
本文从俘获动力学出发,推导了荷电陷阱引起的平带电压变化量随时间变化的一般形式,并对SiO_2膜中的电子陷阱密度、能级和俘获截面进行了测量.结果表明测量陷阱密度时不能忽略...
[期刊论文] 作者：吕世骥,吴宗汉,
来源：电子器件 年份：1986
本工作利用TSIC和B—T测量研究了经~(60)Coγ射线辐照后MOS结构的SiO_2薄膜中可动离子能量状态和数量的变化。研究表明,辐照后SiO_2膜中可动离子的最可几陷阱能量下降,且离子...
[期刊论文] 作者：吕世骥,蔡跃明,等,
来源：电子器件 年份：1990
本文报道了SOI（Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术，其中包括SiO2-SiO2,Si-SiO2,Si-石英，GaAs－玻璃等的键合，利用各种检测手段对键合材料的键合面积，键合强度，界面形貌...
[期刊论文] 作者：蔡跃明,赵刚,吕世骥,,
来源：半导体杂志 年份：1996
本文从信号处理理论的角度，讨论了∑△Ｄ／Ａ转换技术，并介绍了二个应用实例。...
[期刊论文] 作者：黄庆安,吕世骥,童勤义,
来源：东南大学学报：英文版 年份：1991
The origin of the piezoelectric effect of GaAs is discussed in some detail.TheGa atoms are negatively charged and As atoms positively charged.The piezoelectric...
[期刊论文] 作者：黄庆安,吕世骥,童勤义,
来源：半导体学报 年份：1992
本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压...
[期刊论文] 作者：吕世骥,蔡跃明,郭耀华,,
来源：东南大学学报 年份：1989
论述了等离子体氮化对SiO_2薄膜中电子陷阱的影响。提出了一种计算电子陷阱能级和陷阱密度的温度修正。实验结果表明:SiO_2薄膜经等离子体氮化后,电子陷阱的密度和俘获截面有...
[期刊论文] 作者：吕世骥,黄庆安,童勤义,
来源：半导体学报 年份：1991
本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电...
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