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[学位论文] 作者：周锌,,
来源：电子科技大学 年份：2016
SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)高压LDMOS(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semicondutor,横向双扩散金属氧化物半导体)器件因其低功耗、高频率、高集成度等特点...
[期刊论文] 作者：周锌锌,,
来源：学周刊 年份：2014
本文针对高中英语写作教学中存在的问题,结合人教版高中英语教材特点,阐述了如何把教材中阅读课文的篇章结构、话题词汇、语法语言结构加以分析和运用,在阅读教学中进行写作...
[期刊论文] 作者：周锌锌,,
来源：开封教育学院学报 年份：2017
针对目前高中英语教学中普遍存在的问题，本文以提高教学的有效性为宗旨，尝试将混合式学习理念融入小组合作学习活动的设计中，探索在网络与课堂混合的环境下，创新高中英语小组合作......
[期刊论文] 作者：周锌锌,,
来源：学周刊 年份：2015
英语导学案是把教师的教案与学生的学案有机结合,形成一种优化学与教的过程的方案。本文在对当前高中英语语法教学现状进行分析的基础上,以人教版高中英语模块一第四单元定语...
[期刊论文] 作者：周锌锌,,
来源：英语教师 年份：2019
概述智慧教室的概念、特征及智慧教室环境下的高中英语语法教学模式。以人教版高中《英语》必修1 Unit4的定语从句语法课为例,探究如何在智慧教室环境下进行高中英语语法教学...
[期刊论文] 作者：周锌锌,
来源：学周刊·上旬刊 年份：2015
摘要：英語导学案是把教师的教案与学生的学案有机结合，形成一种优化学与教的过程的方案。本文在对当前高中英语语法教学现状进行分析的基础上，以人教版高中英语模块一第四单元定语从句的语法学习的导学案为例，探讨了语法导学案的编写模式，把课前自主学习与课上合作探......
[期刊论文] 作者：周锌锌,
来源：名师在线 年份：2023
笔者针对目前高中英语读写教学中“思辨缺席”的问题，尝试建构指向学生思维能力训练的读后续写教学MINE模式，按照顺内容、理语言、成续篇、依章法四个步骤来培养学生的逻辑、批判、创新、评判等方面的思维，提高学生的读后续写能力。......
[期刊论文] 作者：李淑贤, 周锌芳,,
来源：现代商业 年份：2011
以SERVQUAL量表为工具,对酒店行业经济型酒店中的典型代表如家快捷酒店的服务质量进行实证调研,并利用SPSS16.0软件对数据进行统计分析,得出服务质量重要性水平对顾客感知服...
[期刊论文] 作者：马阔,乔明,周锌,王卓,
来源：电子与封装 年份：2020
研究了总剂量辐射致使高压SOI pLDMOS器件电学性能的退化,报道了在300 krad(Si)辐射下,高压SOI pLDMOS器件耐压的退化以及阈值电压的负向漂移。通过仿真软件对器件的基础电学...
[会议论文] 作者：周锌,祁娇娇,乔明,张波,
来源：2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件 年份：2013
本文研究了薄层SOI场pLDMOS在不同背栅电压应力条件下的阈值和导通电阻退化机理.在高压开关电路应用中,pLDMOS的背栅处于最低电位,与源极存在固定的电势差.对于薄层SOI场pLDM...
[期刊论文] 作者：吴文杰,乔明,何逸涛,周锌,,
来源：电力电子技术 年份：2013
提出一种用于横向高压器件的曲率结扩展技术，并在横向双扩散MOSFET（LDM0s）上进行了实验验证。该技术采用一个轻掺杂的p-sub层，插入LDMOS的曲率结区域，从而将高掺杂的小曲率半径p-b......
[期刊论文] 作者：王卓,周锌,陈钢,杨文,庄翔,张波,,
来源：微电子学 年份：2015
针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和...
[期刊论文] 作者：黄勇,李阳,周锌,梁涛,乔明,张波,,
来源：微电子学 年份：2017
针对传统高压功率器件的击穿电压与比导通电阻始终相互矛盾的问题,提出了一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件。该结构在漂移区的上方引入多个电极,每个电极偏置在不同的...
[期刊论文] 作者：黄勇,李阳,周锌,梁涛,乔明,张波,,
来源：微电子学 年份：2017
介绍了一种可降低多通道输出功率芯片电磁辐射的设计方法。该功率芯片具有96个独立的输出通道,对芯片的高压总供电和单路输出通道的驱动模式进行研究。将实际测试的电磁辐射...
[期刊论文] 作者：师锐鑫,周锌,乔明,王卓,李燕妃,
来源：电子与封装 年份：2021
SOI(Silicon-On-Insulator)高压LDMOS(Lateral Double Diffusion Metal Oxide Semicon-ductor)作为高压集成电路的核心器件,广泛应用于模拟开关、栅驱动及电源管理电路中.通过TCAD仿真软件,开展SOI高压LDMOS器件的单粒子敏感点及器件烧毁机理研究.器件在重离子......
[期刊论文] 作者：周锌,陈浪涛,乔明,罗萍,李肇基,张波,
来源：微电子学与计算机 年份：2022
高压集成电路是电能转换和控制的核心芯片.在星链计划为代表的新一代航天技术推动下，航天装备朝着小型轻量化、动力电气化快速发展，对抗辐射高压集成电路提出极大需求.相比大规模数字电路，高压集成电路面临高场与辐射协同效应，对性能影响严重且机理复杂.本文总结了......
[期刊论文] 作者：王卓,邹杰,周锌,卢慕婷,乔明,张波,,
来源：微电子学 年份：2013
提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击穿,提高了器件耐压.通过分析器件的结构参数...
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