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[期刊论文] 作者：唐本奇,
来源：电力电子技术 年份：1997
首次建立了ＲＥＳＵＲＦ二级管的低温优化模型，推导出７７Ｋ－３００Ｋ范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式，给出卫定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。...
[期刊论文] 作者：唐本奇,粱苏军,
来源：电力电子技术 年份：1996
对目前所采用的各种高压平面结终端结构的优化设计方法进行了分析比较，总结了其一般规律，给出了优化设计方法的流程图，并对终端结构的发展提出了自己的看法。...
[期刊论文] 作者：唐本奇,吴国荣,
来源：核电子学与探测技术 年份：1999
在ＰＣ上开发了双极型晶体管电路瞬态γ辐照效应的模拟计算程序Ｍ－ＴＲＡＣⅡ，建立了相应器件模型参数的测试方法，并进行双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应实验验证工作，计算结果与实验结果符合得......
[期刊论文] 作者：唐本奇,杜凯,
来源：电力电子技术 年份：2000
建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁，栅穿效应的等效电路模型，介绍了模型参数提取方法。采用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对单粒子烧毁，栅穿效应机理进行了模拟相分析，建立了Ｃｆ－２５２裂片源模拟空间重离子单粒子烧......
[会议论文] 作者：唐本奇,梁苏军,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：唐本奇,高玉民,
来源：半导体学报 年份：1998
本文利用计及表面电荷的柱顼结电场分布表达式，并根据场限环优化条件，首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型，得到了考虑表面电荷效应后，优化单场限环结构击穿电压以及优化环间......
[期刊论文] 作者：唐本奇,高玉民,
来源：电力电子技术 年份：1997
横向功率器件及其结终端保护技术ＬａｔｅｒａｌＰｏｗｅｒＤｅｖｉｃｅｓａｎｄＴｈｅｉｒＪｕｎｃｔｉｏｎＴｅｒｍｉｎａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｉｑｕｅｓ西安交通大学唐本奇高玉民罗晋生（西安７１００４９）１前言横向功率器件及其结终端保护技术的发展，并不完全等同...更多还原......
[期刊论文] 作者：唐本奇,高玉民,
来源：西安交通大学学报 年份：1998
分析和讨论了圆弧形掩膜的曲率半径对平面结终端压特点的影响。首次通过解析的方法，推导出了在计及平面结横向曲率效应，即准三维效应的条件下，优化单场限环结构击穿电压的归一化......
[期刊论文] 作者：梁功军,唐本奇,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
在半导体高压终端研究中，重要的工作之一是终端电场电位分析，国内外以往报道的ＪＴＥ分析结果除采用解析方法外，数值方法主要采用差分或有限元法，作者利用边界元数值技术，采用“边界元临......
[期刊论文] 作者：唐本奇,王燕萍,
来源：原子能科学技术 年份：2000
建立了＾２５２Ｃｆ裂片源模拟空间重离子的单粒子烧毁和单粒子栅穿效应的实验方法和测试装置，并利用该装置进行了功率ＭＯＳ场效应晶体管的ＳＥＢ、ＳＥＧＲ效应研究，给出了被测试器件ＳＥＢ、ＳＥＧＲ效应的损伤阈值。结果表......
[期刊论文] 作者：唐本奇,王燕萍,
来源：原子能科学技术 年份：2000
建立了功率ＭＯＳ器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和相应的模型参数提取方法，对ＶＤＭＯＳ器件的单粒子栅穿效应的机理进行了模拟和分析，模拟结果与文献中的实验数据相符合，表明所建立的器件模......
[期刊论文] 作者：唐本奇,王燕萍,
来源：计算物理 年份：2000
根据电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ内建元器件模型，建立了功率ＭＯＳ器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法，对ＶＤＭＯＳ器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析，模型结果与文献中的实验数......
[期刊论文] 作者：唐本奇,高玉民,
来源：微电子学与计算机 年份：1997
本文对高压平面结终端结构优化设计中采用的各种数值方法开展了分析和比较，总结了 其中的一般性规律，对终端结构优化设计的发展提出了自己的看法。...
[期刊论文] 作者：唐本奇,高玉民,
来源：微电子学与计算机 年份：1997
本文利用计及表面电荷的柱面结电场分布表达式，并根据场限环优化条件，首次建立了单场限环表面电荷效应优化模型，得到了考虑表面电荷效应后，优化单场限环结构击穿电压以及优化环间......
[期刊论文] 作者：唐本奇,高玉民,
来源：微电子学 年份：1997
讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面参杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化的耐压。计算结果与二维数值模拟结果符合得较好。......
[期刊论文] 作者：唐本奇,高玉民,
来源：西安交通大学学报 年份：1997
文章讨论了内场限环结构ＬＤＭＯＳＴ的参数优化和器件耐压问题，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式。同时，对ＬＤＭＯＳＴ的优化结构开展了耐压分析。与国外同类工作比较，此方......
[期刊论文] 作者：唐本奇,王燕萍,等,
来源：核电子学与探测技术 年份：1999
建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法，对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和PSPICE模拟，模拟结果与文献中提供的数据相...
[期刊论文] 作者：唐本奇,吴国荣,李国政,
来源：核电子学与探测技术 年份：1999
在ＰＣ上开发了双极型晶体管电路瞬态γ辐照效应的模拟计算程序Ｍ－ＴＲＡＣＩＩ，建立了相应器件模型参数的测试方法，并进行双极型晶体管线路瞬态γ辐照效应实验验证工作；计算结果与实测结果符合得较......
[期刊论文] 作者：唐本奇,王燕萍,耿斌,
来源：核电子学与探测技术 年份：2001
建立了利用252Cf裂片源,模拟空间重离子引起的单粒子烧毁、栅穿效应的实验方法和测试装置,开展了功率MOS器件、IGBT的单粒子烧毁、栅穿效应的模拟试验研究,给出了被试器件单...
[期刊论文] 作者：唐本奇,粱苏军,罗晋生,
来源：电力电子技术 年份：1996
对目前所采用的各种高压平面结终端结构的优化设计方法进行了分析比较，总结了其一般规律，给出了优化设计方法的流程图，并对终端结构的发展提出了自己的看法This paper analyze...
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