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[期刊论文] 作者：喻淑伦,
来源：微电子学 年份：1985
随着超大规模集成电路器件和工艺的高度发展,推动半导体设备的发展,而半导体设备的发展反过来又促进了器件和工艺的迅速发展。从世界各国看,目前美国的电子工业最发达,半导...
[期刊论文] 作者：喻淑伦,
来源：微电子学 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：H.E.Oldhamtridge,喻淑伦,
来源：微电子学 年份：2004
本文的第Ⅰ部分发表在《Solid State Technology》杂志 1984, No.6上。在这第Ⅱ部分中,作者着重于电路设计考虑。单晶硅或绝缘衬底上的单沟MOS和CMOS是讨论的主要目标。毫无...
[期刊论文] 作者：Barry Gotlinsky,喻淑伦,
来源：微电子学 年份：1991
本文简述了气体过滤机理,并提供了有关收集效率和目前在半导体加工中通常使用的几种气体过滤介质的清洁度的数据。...
[期刊论文] 作者：Gotli.,B,喻淑伦,
来源：微电子学 年份：1991
本文简述了气体过滤机理,并提供了有关收集效率和目前在半导体加工中通常使用的几种气体过滤介质的清洁度的数据。...
[期刊论文] 作者：Kopp,R.J,喻淑伦,
来源：微电子学 年份：1989
尽管半导体工业最近呈现严重下降趋势,但器件、电路和加工技术的改进,在过去两年却加快了步伐。当前经过的一切重大事件和近期未来的一些预兆就是表明这种重大发展的实...
[期刊论文] 作者：Shyam P.Murarka,喻淑伦,
来源：微电子学 年份：1986
本文评论硅化物工艺的最新进展,并讨论单靶溅射、CVD技术、正确实现氧化的条件、自对准硅化物的使用和快速热退火及硅化物的新应用。This article reviews recent advances...
[期刊论文] 作者：Duncan Grant,Allan Tregidga,喻淑伦,
来源：微电子学 年份：1987
采用垂直电流器件和使用多晶硅作栅材料,在制作功率MOSFET实用器件中起着重要的作用。随着导通电阻的降低,单元密度显著地增加。在分立晶体管元件市场,高性能的和具有价格竞...
[期刊论文] 作者：徐平,喻淑伦,孔令时,
来源：微电子学 年份：1983
＜正＞ 一、引言 整个半导体工业随着半导体器件集成度的不断提高,对设备的要求也越来越高。随着器件最大几何尺寸的缩小,芯片上更高的集成只能通过各个器件按比例缩小的方法来实现。系指在缩小横向尺寸的同时缩小器件的纵向尺寸,这是通向超大规模集成电路的主要途......
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