搜索筛选:
搜索耗时1.7425秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 30 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：黄大定,姚振钰,
来源：半导体学报 年份：1993
采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。...
[期刊论文] 作者：姚振钰,贺洪波,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
室温下在ｐ－Ｓｉ（１００）上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ测量表明了ＺｎＯ是高度ｃ轴单一取向生长的，ＸＲＣ测量则表明了ＺｎＯ的高质量在室温下的ＰＬ测量中见到了带边发射，其强度与晶体质量有关。......
[期刊论文] 作者：贺洪波,姚振钰,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
在玻璃基底和四种硅基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ＺｎＯ薄膜。用ＡＥＳ和ＸＲＤ对薄膜结构和组分进行测试，结果表明，五种基底上生长的ＺｎＯ薄膜在不同程度上都具有优良的纵均匀性、明显的ｃ轴择优......
[会议论文] 作者：姚振钰,贺洪波,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
...
[期刊论文] 作者：吴正龙,姚振钰,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅－氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴离子，并生长硅化钴薄膜，扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明，只在纯硅区探测到了......
[期刊论文] 作者：姚振钰,秦复光,
来源：半导体学报 年份：1992
采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;...
[期刊论文] 作者：姚振钰,张国炳,
来源：半导体学报 年份：1998
用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来说是一个关键因素......
[期刊论文] 作者：吴正龙,姚振钰,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1998
利用质量分离低能离子束外延法，在Ｓｉ（１１１）上生长出了硅化钴薄膜，表面微结构及表面组分，化学价态的分析测试表明，此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜。通过反应外延后做后退......
[会议论文] 作者：姚振钰,张国炳,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
...
[会议论文] 作者：姚振钰,刘志凯,
来源：第九届全国微波磁学会议 年份：1998
利用离子束辅助沉积法，在Si（100）基片上制备了三种Fe-N薄膜（到达比N／Fe＝0.09，0.12，0.15，包括Fe16N2）。对这三种Fe-N薄膜，用铁磁共振测定饱和磁化强度和铁磁共振线宽，结合磁性测量、电镜观......
[会议论文] 作者：姚振钰,任治璋,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
...
[会议论文] 作者：姚振钰,秦复光,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
...
[会议论文] 作者：姚振钰[1]张建辉[1],
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
采用直流反应磁控溅射法、室温下在Ｎ－Ｓｉ（００１）上外廷生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ表明已得到ＺｎＯ（０００２）的高度Ｃ－轴单一取向的结果。ＸＲＣ则表明在一批样品上ＦＷＨＭ＜１．１°。这优于国内外溅射法同行得到的约２°的最佳结果。而且生长温......
[会议论文] 作者：姚振钰,柴春林,贺洪波,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了 带边发射...
[期刊论文] 作者：贺洪波,范正修,姚振钰,
来源：功能材料与器件学报 年份：1999
在玻璃基底和四种硅基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ZnO薄膜．用AES和XRD对薄膜结构和组分进行测试，结果表明，五种基底上生长的ZnO薄膜在不同程度上都具有优良的纵向均匀性、......
[会议论文] 作者：姚振钰,贺洪波,柴春林,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
室温下在p-SI(100)上采用直流反应磁控溅射法外延生长了ZnO薄膜。XRD测量表明了ZnO是高度c轴单一取向生长的，XRC测量则表明了ZnO的高质量。在室温下的PL测量中见到了 带边发射，其强度与晶体质量有关。......
[会议论文] 作者：姚振钰,吴正龙,徐俊英,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
采用质量分析的低能氮离子束对ＳＩ－ＧａＡｓ表面作氮化研究，初步结果表明，在选用能量为５００ｅｖ、剂量为１×１０〈’１７〉ｃｍ〈’－２〉的Ｎ〈’＋〉离子作用于室温衬底后，可以得到绝缘性质良好，界而态密度不高的优质氮化......
[期刊论文] 作者：贺洪波,范正修,姚振钰,汤兆胜,
来源：中国科学E辑:技术科学 年份：2000
采用常规磁控溅射方法 ,通过优化工艺 ,在Si( 10 0 ) ,Si( 111)多种基片上沉积ZnO薄膜 .利用透射电镜 (TEM)、X射线衍射 (XRD)和X射线摇摆曲线 (XRC) ,对ZnO薄膜的微区形貌、...
[期刊论文] 作者：贺洪波,范正修,姚振钰,汤兆胜,
来源：Science in China(Series E:Technological Sciences) 年份：2000
The preparation of high quality ZnO/Si substrates for the growth of GaN blue light emitting materials is considered. ZnO thin films have been deposited on Si (...
[会议论文] 作者：姚振钰,张建辉,刘志凯,贺洪波,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
采用直流反应磁控溅射法、室温下在Ｎ－Ｓｉ（００１）上外廷生长了ＺｎＯ薄膜。ＸＲＤ表明已得到ＺｎＯ（０００２）的高度Ｃ－轴单一取向的结果。ＸＲＣ则表明在一批样品上ＦＷＨＭ＜１．１°。这优于国内外溅射法同行得到的约２°的最佳结果。而且生长温度及薄膜厚度还低于同行的相应参数。......
相关搜索：
