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[期刊论文] 作者：孔梅影,
来源：现代科学仪器 年份：1998
本文简介了分子束外延半导体纳米材料的基本原理，分子束外延设备及用以制备的低维（纳米）材料的进展及其应用。...
[期刊论文] 作者：孔梅影,
来源：国外科技新书评介 年份：2007
在寻找具有特定性能新材料的需求推动下，分子有机材料引起了人们极大兴趣。近几年来，表面科学界对此领域己取得一些新的认知，此书结合了表面和材料中的物理和化学问题，目的是使多......
[期刊论文] 作者：孔梅影,,
来源：半导体情报 年份：1991
本文评述了我国自70年代中期开始分子束外延(MBE)研究以来的MBE设备、材料及器件应用的发展和现状。...
[期刊论文] 作者：孔梅影,
来源：稀有金属 年份：1985
随着分子束外延(MBE)生长环境清洁度的改善和生长工艺技术的改进,MBE GaAs 的纯度、AlGaAs/GaAs 异质结界面质量和外延层的性能等都有明显提高。MBEⅢ-Ⅴ族三元、四元合金(如...
[期刊论文] 作者：孔梅影,
来源：稀有金属 年份：1982
近十年来,分子束外延技术(简称MBE)以其独特的优点在多方面取得了令人注目的发展。本文从六个方面讨论了MBE技术目前的发展情况。MBE GaAs、Si和InGaAsP等材料的水平已可与VP...
[会议论文] 作者：孔梅影,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
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[期刊论文] 作者：孔梅影,D.A.Andrews,
来源：半导体学报 年份：2004
利用Se电化学喷射炉产生的Se分子束,对分子束外延(MBE)GaAs掺杂,获得了载流子浓度为 10~(15)-10~(15)cm~(-3)的N型 GaAs. 载流子浓度 8.0 ×10~(15)-5.76 × 10~(15)cm~(-3)...
[期刊论文] 作者：梁基本,孔梅影,
来源：半导体情报 年份：1991
用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半...
[期刊论文] 作者：孔梅影,梁基本,
来源：高技术通讯 年份：1994
进一步提高我国分子束外延技术的探讨孔梅影，梁基本，曾一平（中国科学院半导体研究所北京１０００８３）十多年来，我国的分子束外延（ＭＢＥ）技术从无到有，并不断改进提高，取得很大的进展。在中国科学院一些......
[期刊论文] 作者：王红梅,孔梅影,
来源：材料研究学报 年份：1997
综述了分子束外延材料的表面缺陷－主要是椭圆缺陷－的种类、特征、起因、消除方法等，重点介绍了可能导致椭圆缺陷产生的重要因素，如Ｇａ小液滴、Ｇａ的氧化物及衬底沾污等，并提出相应的改进......
[期刊论文] 作者：Osamu Oda,孔梅影,
来源：国外科技新书评介 年份：2008
化合物半导体体材料是除元素半导体材料Si、Ge外的另一类重要的半导体材料。它作为基础材料，在电子学和光学方面的应用变得日益重要。在对Ⅲ—Ⅴ、Ⅱ—Ⅵ、Ⅳ—Ⅵ族、GaN和SiC...
[期刊论文] 作者：曾一平,孔梅影,
来源：电子显微学报 年份：1997
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ奕变单量子阱激光器并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＴＮＧａＡｓ生长温度和尽可能短的生长停顿时间，将有利于降低激光器......
[期刊论文] 作者：曾一平,孔梅影,
来源：半导体情报 年份：1991
利用国产MBE设备,我们研制了多种多用途的GaAs/AlGaAs器件结构材料,并制作出GaAs/AlGaAs量子阱激光器、GaAs/GaAlAs自电光效应器件(SEED)、GaAs/AlGaAs HEMT等多种器件。...
[期刊论文] 作者：王春艳,孔梅影,
来源：半导体情报 年份：1991
利用光荧光和x射线双晶衍射分析方法,研究了MBE GaAs/GaP(001)外延层的能带结构和晶格参数。在外延层厚度大于监界厚度的情况下,GaAs外延层主要受到热膨胀系数不同所引起的张...
[期刊论文] 作者：孙殿照,孔梅影,
来源：半导体情报 年份：1991
研制了国内首台化学束外延(CBE)系统。半导体所用此系统进行了CBE实验,获得质量良好的半导体材料。本文给出该系统的设计考虑及CBE实验结果。...
[期刊论文] 作者：孔梅影,彭正夫,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
由中国科学院半导体所和长春物理所共同承办的全国第一届分子束外延(MBE)学术会议于1991年8月21日至24日在吉林省安图县召开。来自全国各科研单位、高等院校和工厂的代...
[期刊论文] 作者：孔梅影,曾一平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
评述了当前高速发展的信息技术对化合物半导体的市场，特别是对分子束外延材料市场的推动。介绍了实验研制的高性能MBE二维材料及其器伯的应用结果。讨论了我国MBE GaAs材料的...
[期刊论文] 作者：吴荣汉,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1991
采用国产分子束外延系统生长的GaAs/GaAlAs多量子阱材料,成功地制备出室温自电光效应(Self Electrooptic Effect)光学双稳态器件(SEED).报道了这种器件在对称工作(S-SEED)和...
[期刊论文] 作者：孔梅影,曾一平,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：林理彬,孔梅影,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：1995
用能量为１～１．８ＭｅＶ、注量为１０￣（１３）～１０￣（１０）／ｃｍ￣２的电子，对ＨＥＭＴ（高电子迁移率晶体管）材料进行辐照，得到了材料结构中的２维电子气（２ＤＥＧ）的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系，井进行了讨论．还将该结果与电子辐照Ｐ－ＨＥＭＴ和ＬＴ－ＨＥＭＴ材料......
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