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[学位论文] 作者：席冬娟,
来源：南京大学 年份：2002
该论文针对目前Ⅲ族氮化物材料和器件研究的前沿问题,开展了三方面的研究:一是研究MOCVD生长的Si基氮化物的界面化学结构;二是以发展AIN为绝缘层的金属-绝缘层-半导体场效应...
[期刊论文] 作者：江若琏,席冬娟,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
采用ＭＯＣＶＤ技术在Ｓｉ（１１１）衬底上生长ＧａＮ薄膜，经此材料制备成光导型Ｓｉ基ＧａＮ紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段２５０￣３６０ｎｍ有近于平坦的光电流响应，３６３ｎｍ附近有陡峭的截止边，３５７ｎｍ波长处５Ｖ偏压下的响应度高达６．９Ａ／Ｗ。响应度......
[期刊论文] 作者：席冬娟,江若琏,等,
来源：高技术通讯 年份：2000
报道了以Si(111)为衬底的GaN光导型紫钙探测器的制备及其光电流性质，探测器的光谱响应表明，这种GaN探测器在紫外波段250－360nm有近于平坦的光电流响应，36nm附近陡峭的截止边，在357......
[期刊论文] 作者：周春红,孔月婵,席冬娟,陈鹏,郑有,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
用Si（lll）上MOCVD生长的晶态AIN制备出性能良好的Al／AlN／Si（lll）MIS结构，用C-V技术首次系统研究了Al／AlN／Si MIS结构的电学性质。用Al／AlN／SiMIS结构的C-V技术测量了AlN的极化特性，得出Al......
[会议论文] 作者：赵作明,江若琏,陈鹏,席冬娟,沈波,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min 取得最...
[期刊论文] 作者：周春红,孔月婵,席冬娟,陈鹏,郑有炓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
用Si(111)上MOCVD生长的晶态AlN制备出性能良好的Al/AlN/Si(111)MIS结构,用C-V技术首次系统研究了Al/AlN/Si MIS结构的电学性质.用Al/AlN/Si MIS结构的C-V技术测量了AlN的极...
[会议论文] 作者：江若琏,席冬娟,赵作明,陈鹏,沈波,张荣,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
采用MOCVD技术在Si(111)GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应，363nm附近有陡峭的截止边，357nm波...
[期刊论文] 作者：赵作明,江若琏,陈鹏,席冬娟,沈波,郑有炓,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
研究了Si基GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝 (Al)和钛铝铂金(Ti Al Pt Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。Al GaN在 45 0℃氮气气氛退火 3min取...
[期刊论文] 作者：江若琏,席冬娟,赵作明,陈鹏,沈波,张荣,郑有炓,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段250－360nm有近于平坦的光电流响应，363nm附近有陡峭的截止...
[期刊论文] 作者：江若琏,赵作明,陈鹏,席冬娟,沈波,张荣,郑有炓,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2001
Al0.2Ga0.8N/GaN/Al0.2Ga0.8N multilayer structures and GaN monolayer structures with AIN as the buffer layers were grown on Si substrates by metal-organic chemic...
[期刊论文] 作者：席冬娟,江若琏,陈鹏,赵作明,罗志云,沈波,张荣,郑有炓,
来源：高技术通讯 年份：2000
报道了以Si( 111)为衬底的GaN光导型紫外探测器的制备及其光电流性质。探测器的光谱响应表明 ,这种GaN探测器在紫外波段 2 50～ 360nm有近于平坦的光电流响应 ,363nm附近有陡峭...
[期刊论文] 作者：席冬娟,郑有炓,陈鹏,赵作明,陈平,谢世勇,江若琏,沈波,顾书林,张荣,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
We have studied the interfacial structures of AlN/Si (111) grown by metal-organic chemical vapour deposition. X-ray photoelectron spectroscopy and Auger electro...
[期刊论文] 作者：周春红,郑有炓,邓咏桢,孔月婵,陈鹏,席冬娟,顾书林,沈波,张荣,江若琏,韩平,施毅,
来源：物理学报 年份：2004
利用Al_AlN_Si(111)MIS结构电容_频率谱研究了金属有机化学气相沉积法生长的Si基AlN的AlN_Si异质结构中的电荷陷阱态 .揭示了AlN_Si异质结构界面电荷陷阱态以及AlN层中的分立...
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